1. 物料型号：
- 型号为SKR 12,4 Qu bond。
2. 器件简介：
- 该器件是一个二极管，具有以下特点：
- 由于采用斜面技术，具有高电流密度。
- 能够承受高浪涌电流。
- 兼容粗线键合。
- 兼容所有标准焊接工艺。
3. 引脚分配：
- 阳极（Anode）：可键合（Al）。
- 阴极（Cathode）：可焊接（Ag/Ni）。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VRRM（反向重复峰值电压）：1600V。
- IF(AV)（平均电流）：190A。
- 1t（浪涌电流）：26500A²s。
- IFSM（浪涌电流）：3200A（10ms）。
- 电气特性：
- IR（反向电流）：在25°C和120°C下分别为0.2mA和1.1mA。
- VF（正向电压）：在25°C下，160A时为1V至1.21V。
- V(TO)（开通电压）：在125°C下为0.83V。
- rT（反向电流温度系数）：在125°C下为1.0mA。
- trr（反向恢复时间）：34ns。
- 热特性：
- Tj（结温）：-40至150°C。
- Tstg（存储温度）：-40至150°C。
- Tsolder（焊接温度）：10分钟250°C，5分钟320°C。
- Rth(i-s)（热阻）：0.27K/W（焊接在0.38mm DCB上，参考点在靠近芯片的铜散热器上）。
5. 功能详解：
- 该器件是一个未控制的整流桥。
6. 应用信息：
- 典型应用包括未控制的整流桥。
7. 封装信息：
- 封装尺寸：12.4mm x 12.4mm。
- 总封装面积：153.76mm²。
- 封装类型：托盘（tray），每盘36片。
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