物料型号:
- HN/2N4400/4401 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
器件简介:
- 这是一种NPN型的外延硅晶体管,属于通用晶体管。
引脚分配:
- 特殊需求下,这些晶体管可以制造成不同的引脚配置。具体的引脚选项可以参考文档第0页的“TO-92 TRANSISTOR PACKAGE OUTLINE”。
参数特性:
- 绝对最大额定值(Ta=25°C):
- 集电极-基极电压 VCBO:60V
- 集电极-发射极电压 VCEO:40V
- 发射极-基极电压 VEBO:6V
- 集电极电流 Ic:600mA
- 集电极耗散 P:625mW
- 结温 T:150℃
- 存储温度范围 Ts:-55至+150℃
功能详解:
- 在25°C的环境温度下,不同集电极电流下的直流电流增益(hFE)、集电极截止电流(ICEx)、集电极发射极击穿电压(V(BR)CEO)、集电极基极击穿电压(V(BRCBO))等参数。
应用信息:
- 该晶体管适用于需要NPN型硅晶体管的一般用途。
封装信息:
- TO-92塑料封装,重量大约0.18g,具体尺寸以mm为单位。