物料型号:
- BZX55T系列,包含多个型号,如BZX55T2V4、BZX55T2V7、BZX55T3V0等,直到BZX55T36X。
器件简介:
- BZX55T系列是硅平面稳定齐纳二极管,具有非常陡峭的反向特性、低反向电流水平、高稳定性、低噪声,并可提供更紧密的公差。
引脚分配:
- 器件采用玻璃封装DO-35封装形式,具体尺寸以毫米为单位提供。
参数特性:
- 最大耗散功率为500毫瓦。
- 结温最高175摄氏度。
- 存储温度范围为-65至+175摄氏度。
- 最大热阻(环境温度25摄氏度时)为300K/W。
- 在环境温度25摄氏度时,正向电压在200毫安电流下最大值为1.5伏特。
功能详解:
- 该系列二极管具有不同的电压等级,从2.4V至36V不等,具体参数包括最小反向电压(Vzmin)、最大反向电压(Vzmax)、动态阻抗(rzmax)、在特定电流下的反向电流(IRmax)等。
应用信息:
- 由于其特性,BZX55T系列适用于需要稳定电压和保护的电路,如电源、信号处理等。
封装信息:
- 主要封装形式为玻璃封装DO-35,具体尺寸图已提供。