### 物料型号
- BZX55T系列,包含多个型号,例如BZX55T2V4、BZX55T2V7、BZX55T3V0等,直到BZX55T36。
### 器件简介
- BZX55T系列是硅平面稳定齐纳二极管,具有非常尖锐的反向特性、低反向电流水平、高稳定性、低噪音,并可提供更紧密的公差。
### 引脚分配
- 器件采用玻璃封装DO-35封装形式,具体尺寸以毫米为单位提供。
### 参数特性
- 最大额定值:功率耗散(Ptot)500mW,结温(Tj)175℃,存储温度范围(Ts)-65至+175℃。
- 最大热阻:结到环境空气的热阻(RthJA)300K/W。
- 特性值:在Ta=25℃时,200mA下的正向电压(VF)最大值为1.5V。
### 功能详解
- 该系列二极管在不同的工作电压下具有不同的参数,如最小反向工作电压(Vzmin)、最大反向工作电压(Vzmax)、动态阻抗(zmax)、在lz下的IRmax、在VR下的IRmax等。
### 应用信息
- 该系列二极管适用于需要稳定电压保护的电路中,例如电源、电路保护等。
### 封装信息
- 器件采用玻璃封装DO-35封装形式,具体尺寸图已提供。