物料型号:
- BZX55T系列包含多种型号,如BZX55T2V4、BZX55T2V7、BZX55T3V0等,直至BZX55T36X。
器件简介:
- BZX55T系列是硅平面稳定齐纳二极管,具有非常尖锐的反向特性、低反向电流水平、高稳定性、低噪声,并可提供更紧密的公差。
引脚分配:
- 器件采用玻璃封装DO-35封装形式,具体尺寸以毫米为单位提供。
参数特性:
- 最大耗散功率为500mW,结温为175℃,存储温度范围为-65至+175℃。
- 最大热阻(25℃环境温度)从结到环境空气为300K/W。
- 在25℃环境温度下,200mA电流下的正向电压最大值为1.5V。
功能详解:
- 表格详细列出了不同型号的BZX55T系列二极管的最小反向电压(Vzmin)、最大反向电压(Vzmax)、动态电阻(rzmax)、在特定电流下的反向电流(IRmax)等参数。
应用信息:
- 该系列二极管适用于需要稳定电压保护的应用场合。
封装信息:
- 主要封装形式为玻璃封装DO-35,具体尺寸已在文档中提供。