BZX79C4V3

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SEMTECH_ELEC
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BZX79C4V3 - SILICON PLANAR ZENER DIODES - SEMTECH ELECTRONICS LTD.

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BZX79C SILICON PLANAR ZENER DIODES Max. 0.5 Max. 1.9 Min. 27.5 Black Cathode Band Black Part No. Black "ST" Brand XXX ST Max. 3.9 Min. 27.5 Glass Case DO-35 Dimensions in mm Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Continuous Forward Current Power Dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient Air Junction Temperature Storage Temperature Range 1) Symbol IF Ptot RθJA Tj TS Value 250 500 0.3 1) 1) O Unit mA mW C/mW O - 65 to + 200 - 65 to + 200 C C O Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case. Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Forward Voltage at IF = 100 mA Symbol VF Max. 1.5 Unit V SEMTECH ELECTRONICS LTD. ® (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724) Dated : 25/02/2006 BZX79C Characteristics at Ta = 25 OC Type Zener Voltage 1), 3) Min. Max. lZT (mA) Maximum Zener Impedance 2) ZZT (Ω) at IZT Maximum Leakage Current IR (µA) at VR (V) BZX79C2V4 2.2 2.6 5 100 100 1 BZX79C2V7 2.5 2.9 5 100 75 1 BZX79C3V0 2.8 3.2 5 95 50 1 BZX79C3V3 3.1 3.5 5 95 25 1 BZX79C3V6 3.4 3.8 5 90 15 1 BZX79C3V9 3.7 4.1 5 90 10 1 BZX79C4V3 4 4.6 5 90 5 1 BZX79C4V7 4.4 5 5 80 3 2 BZX79C5V1 4.8 5.4 5 60 2 2 BZX79C5V6 5.2 6 5 40 1 2 BZX79C6V2 5.8 6.6 5 10 3 4 BZX79C6V8 6.4 7.2 5 15 2 4 BZX79C7V5 7 7.9 5 15 1 5 BZX79C8V2 7.7 8.7 5 15 0.7 5 BZX79C9V1 8.5 9.6 5 15 0.5 6 BZX79C10 9.4 10.6 5 20 0.2 7 BZX79C11 10.4 11.6 5 20 0.1 8 BZX79C12 11.4 12.7 5 25 0.1 8 BZX79C13 12.4 14.1 5 30 0.1 8 BZX79C15 13.8 15.6 5 30 0.05 10.5 BZX79C16 15.3 17.1 5 40 0.05 11.2 BZX79C18 16.8 19.1 5 45 0.05 12.6 BZX79C20 18.8 21.2 5 55 0.05 14 BZX79C22 20.8 23.3 5 55 0.05 15.4 BZX79C24 22.8 25.6 5 70 0.05 16.8 BZX79C27 25.1 28.9 2 80 0.05 18.9 BZX79C30 28 32 2 80 0.05 21 BZX79C33 31 35 2 80 0.05 23.1 BZX79C36 34 38 2 90 0.05 25.2 BZX79C39 37 41 2 130 0.05 27.3 BZX79C43 40 46 2 150 0.05 30.1 BZX79C47 44 50 2 170 0.05 32.9 BZX79C51 48 54 2 180 0.05 35.7 BZX79C56 52 60 2 200 0.05 39.2 BZX79C62 58 66 2 215 0.05 43.4 BZX79C68 64 72 2 240 0.05 47.6 BZX79C75 70 79 2 255 0.05 52.5 BZX79C82 77 87 2 280 0.1 62 BZX79C91 85 96 2 300 0.1 69 BZX79C100 94 106 1 500 0.1 76 BZX79C110 104 116 1 650 0.1 84 BZX79C120 114 127 1 800 0.1 91 BZX79C130 124 141 1 950 0.1 99 BZX79C150 138 156 1 1250 0.1 114 BZX79C160 153 171 1 1400 0.1 122 BZX79C180 168 191 1 1700 0.1 137 BZX79C200 188 212 1 2000 0.1 152 1) O Zener voltage is measured under pulse conditions such that TJ is no more than 2 C above Ta 2) ZZT is measured by dividing the ac voltage drop across the device by the ac current applied. The specified limits are for IZ (ac) = 0.1IZ (dc) with the ac frequency = 1 KHz 3) Tested with pulses tp = 20 ms. SEMTECH ELECTRONICS LTD. ® (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724) Dated : 25/02/2006 BZX79C 500 Power Dissipation: Ptot (mW) 400 300 200 100 0 0 25 100 150 Ambient Temperature: Ta ( C) O 200 Power Derating Curve SEMTECH ELECTRONICS LTD. ® (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724) Dated : 25/02/2006

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BZX79C4V3

1. 物料型号： - BZX79C系列，包括BZX79C2V4至BZX79C200等多个型号。

2. 器件简介： - 该系列为硅平面齐纳二极管，封装为玻璃外壳DO-35。

3. 引脚分配： - 未在文档中明确说明，但通常DO-35封装的二极管有两个引脚，分别为阳极和阴极。

4. 参数特性： - 最大连续正向电流（IF）：250mA - 最大总功耗（Ptot）：500mW（前提是引脚保持在环境温度下，距离外壳8mm） - 热阻（RaJA）：0.3°C/mW - 结温（T）：-65至+200°C - 存储温度范围（Ts）：-65至+200°C - 正向电压（VF）：在100mA电流下，最大值为1.5V

5. 功能详解： - 齐纳电压（Zener Voltage）：不同型号有不同的最小值和最大值。 - 最大齐纳阻抗（Zener Impedance）：不同型号有不同的阻抗值。 - 最大漏电流（Leakage Current）：在齐纳电流下，不同型号有不同的电流值。

6. 应用信息： - 该系列二极管适用于需要电压稳定和过压保护的场合。

7. 封装信息： - 封装为玻璃外壳DO-35，尺寸以毫米为单位。

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