MMBT2222A

厂商：
SEMTECH_ELEC
封装：
描述：
MMBT2222A - NPN Silicon Epitaxial Planar Medium Power Transistor - SEMTECH ELECTRONICS LTD.

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MMBT2222 / MMBT2222A NPN Silicon Epitaxial Planar Medium Power Transistor for switching and amplifier applications SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Collector Base Voltage Collector Emitter Voltage Emitter Base Voltage Collector Current Total Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range Symbol MMBT2222 VCBO VCEO VEBO IC Ptot Tj TS 60 30 5 600 200 150 -55 to +150 Value MMBT2222A 75 40 6 V V V mA mW O Unit C C O SEMTECH ELECTRONICS LTD. (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724) ® Dated : 15/03/2006 MMBT2222 / MMBT2222A Characteristics at Ta = 25 OC Parameter DC Current Gain at VCE = 10 V, IC = 0.1 mA at VCE = 10 V, IC = 1 mA at VCE = 10 V, IC = 10 mA at VCE = 1 V, IC = 150 mA at VCE = 10 V, IC = 150 mA at VCE = 10 V, IC = 500 mA Collector Base Voltage at IC = 10 µA Collector Emitter Voltage at IC = 10 mA Emitter Base Voltage at IE = 10 µA Collector Base Cutoff Current at VCB = 50 V at VCB = 60 V Emitter Base Cutoff Current at VEB = 3 V Collector Emitter Saturation Voltage at IC = 150 mA, IB = 15 mA at IC = 500 mA, IB = 50 mA Base Emitter Saturation Voltage at IC = 150 mA, IB = 15 mA at IC = 500 mA, IB = 50 mA MMBT2222 MMBT2222A MMBT2222 MMBT2222A MMBT2222 MMBT2222A MMBT2222 MMBT2222A MMBT2222 MMBT2222A hFE hFE hFE hFE hFE hFE hFE VCBO 35 50 75 50 100 30 40 60 75 30 40 5 6 0.6 300 300 100 100 100 0.4 0.3 1.6 1 1.3 1.2 2.6 2 8 25 10 25 225 60 V Symbol Min. Max. Unit VCEO V VEBO V ICBO IEBO nA nA MMBT2222 MMBT2222A MMBT2222 MMBT2222A MMBT2222 MMBT2222A MMBT2222 MMBT2222A VCE(sat) V VBE(sat) V Transition Frequency at VCE = 20 V, -IE = 20 mA, f = 100 MHz Collector Output Capacitance at VCB = 10 V, f = 100 KHz Emitter Input Capacitance at VEB = 0.5 V, f = 100 KHz Delay Time at VCC = 30 V, VBE(OFF) = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA Rise Time at VCC = 30 V, VBE(OFF) = 0.5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA Storage Time at VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = -IB2 = 15 mA Fall Time at VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = -IB2 = 15 mA fT Cob Cib td tr tstg tf MHz pF pF ns ns ns ns SEMTECH ELECTRONICS LTD. (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724) ® Dated : 15/03/2006 MMBT2222 / MMBT2222A SEMTECH ELECTRONICS LTD. (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724) ® Dated : 15/03/2006 MMBT2222 / MMBT2222A SEMTECH ELECTRONICS LTD. (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724) ® Dated : 15/03/2006

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MMBT2222A

### 物料型号 - 型号：MMBT2222 / MMBT2222A

### 器件简介 - 描述：NPN型硅外延平面中功率晶体管，适用于开关和放大应用。

### 引脚分配 - 引脚： 1. 基极（Base） 2. 发射极（Emitter） 3. 集电极（Collector） - 封装：SOT-23塑料封装。

### 参数特性 - 绝对最大额定值（在$T_a=25^{\circ}C$时）： - 集电极-基极电压（VCBO）：60V（MMBT2222），75V（MMBT2222A） - 集电极-发射极电压（VCEO）：30V（MMBT2222），40V（MMBT2222A） - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：600mA - 总功率耗散（Ptot）：200mW - 结温（T）：150℃ - 存储温度范围（Ts）：-55至+150℃

### 功能详解 - 直流电流增益（hFE）：在不同的集电极-发射极电压（VCE）和集电极电流（Ic）下，hFE的值有所不同，范围从35到300。 - 集电极-基极截止电压（ICBO）：在VcB = 50V和VcB = 60V时，ICBO的值为100nA。 - 发射极-基极截止电流（EBO）：在VEB=3V时，EBO的值为100nA。 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：在不同的Ic和IB下，VCE(sat)的值有所不同，范围从0.3V到1.6V。 - 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：在不同的Ic和IB下，VBE(sat)的值有所不同，范围从0.6V到2.6V。 - 过渡频率（fT）：在Vce=20V，Ic=20mA时，fT的值为300MHz。 - 集电极输出电容（Cob）：在VcB=10V，f=100KHz时，Cob的值为8pF。 - 发射极输入电容（Cib）：在VEB=0.5V，f=100KHz时，Cib的值为25pF。

### 应用信息 - 适用于开关和放大应用。

### 封装信息 - 封装类型：SOT-23塑料封装。

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