物料型号： MMBT5551
器件简介：
MMBT5551是一种NPN硅外延平面晶体管，适用于高电压放大应用。
引脚分配：
1. Base（基极）
2. Emiter（发射极）
3. Collector（集电极）
封装为SOT-23塑料封装。
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta = 25°C）：
- 集电极-发射极电压 VCEO：160V
- 集电极-基极电压 VCBO：180V
- 发射极-基极电压 VEBO：6V
- 集电极电流 IC：600mA
- 总功耗 Ptot：200mW
- 结温 Tj：150°C
- 存储温度范围 TS：-55至+150°C
- 特征参数（环境温度 T_{amb}=25°C）：
- DC电流增益 hFE：在VCE=5V、IC=1mA时为80，VCE=5V、IC=10mA时为30，VCE=5V、IC=50mA时为250。
- 集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO：160V
- 集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO：180V
- 发射极-基极击穿电压 V(BR)EBO：6V
- 集电极截止电流 ICBO：50nA
- 发射极截止电流 IEBO：50nA
- 集电极饱和电压 VCE sat：在IC=10mA、IB=1mA时为0.15V，在IC=50mA、IB=5mA时为0.2V
- 基极饱和电压 VBE sat：在IC=10mA、IB=1mA时为1V，在IC=50mA、IB=5mA时也为1V
- 增益-带宽积 fT：在VCE=10V、IC=10mA、f=100MHz时为100至300MHz
- 集电极-基极电容 CCBO：6pF
- 噪声系数 NF：在VCE=5V、IC=200µA、RG=2KΩ、f=30Hz…15KHz时为8dB
- 热阻 RthA：200K/W
功能详解：
MMBT5551晶体管是一种用于高电压放大应用的NPN硅外延平面晶体管，具有较高的击穿电压和电流增益，适用于需要高电压放大和开关应用的场合。
应用信息：
该晶体管适用于高电压放大应用，具体应用场景未在文档中详述，但通常这类晶体管可用于音频放大器、电源控制、驱动继电器等。
封装信息：
采用SOT-23塑料封装。
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