1. 物料型号：
- 型号：MMBTA42 / MMBTA43
2. 器件简介：
- 这些是NPN型硅高电压晶体管，适用于高电压开关和放大应用。推荐使用MMBTA92和MMBTA93作为互补型PNP晶体管。
3. 引脚分配：
- 1. 基极（Base）
- 2. 发射极（Emitter）
- 3. 集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（在25°C下）：
- MMBTA42的集电极-基极电压VCBO为300V，MMBTA43为200V。
- MMBTA42的集电极-发射极电压VCEO为300V，MMBTA43为200V。
- 发射极-基极电压VEBO均为6V。
- 集电极电流连续Ic为500mA。
- 在FR-5板上的总器件耗散Ptot为200mW。
- 温升允许值为1.8mW/°C。
- 热阻（结到环境）ReJA为417°C/W。
- 结温和存储温度TJTs范围为-55到+150°C。
5. 功能详解：
- 在25°C环境温度下的特性：
- 在Vce=10Vdc，Ic=1mA时，两种型号的直流电流增益hFE最小值为25。
- 在Vce=10Vdc，Ic=10mA时，两种型号的hFE最小值为40。
- 在Vce=10Vdc，Ic=30mA时，MMBTA42的hFE最小值为40，MMBTA43的hFE最小值也为40。
- 在Ic=20mA，Ib=2mA时，MMBTA42和MMBTA43的集电极-发射极饱和电压Vce(sat)最大值为0.5V。
- 在Ic=20mA，Ib=2mA时，基极-发射极饱和电压VBE(sat)最大值为0.9V。
- 在Vcb=200V时，MMBTA42的集电极截止电流ICBO最大值为0.1μA，MMBTA43的ICBO也为0.1μA。
- 在Veb=6V时，MMBTA42的发射极截止电流IEBO最大值为0.1μA，MMBTA43在Veb=4V时IEBO也为0.1μA。
- MMBTA42的集电极-基极击穿电压V(BR)CBO为300V，集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO为300V。
- MMBTA43的集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO为200V。
- 发射极-基极击穿电压V(BREBO)为6V。
- 在Vc=20V，Ic=10mA，f=100MHz时，电流增益-带宽积fT为50MHz。
- 在Vcb=20V，Ic=0，f=1MHz时，MMBTA42和MMBTA43的集电极-基极电容Ccb分别为3pF和4pF。
6. 应用信息：
- 这些晶体管适用于高电压开关和放大应用。
7. 封装信息：
- 封装类型：SOT-23塑料封装。
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