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MMBTSC945

MMBTSC945

  • 厂商:

    SEMTECH_ELEC

  • 封装:

  • 描述:

    MMBTSC945 - NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor - SEMTECH ELECTRONICS LTD.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MMBTSC945 数据手册
MMBTSC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor MMBTSA733 is recommended. SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Collector Base Voltage Collector Emitter Voltage Emitter Base Voltage Collector Current Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range Symbol VCBO VCEO VEBO IC Ptot Tj TS Value 60 50 5 150 200 150 - 55 to + 150 Unit V V V mA mW O C C O Characteristics at Ta = 25 OC Parameter DC Current Gain at VCE = 6 V, IC = 1 mA Current Gain Group Symbol R O Y P L hFE hFE hFE hFE hFE ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO VCE(sat) fT COB Min. 40 70 120 200 350 60 50 5 - Typ. 300 2.5 Max. 80 140 240 400 700 0.1 0.1 0.3 - Unit µA µA V V V V MHz pF Collector Base Cutoff Current at VCB = 40 V Emitter Base Cutoff Current at VEB = 3 V Collector Base Breakdown Voltage at IC = 100 µA Collector Emitter Breakdown Voltage at IC = 10 mA Emitter Base Breakdown Voltage at IE = 10 µA Collector Emitter Saturation Voltage at IC = 100 mA, IB = 10 mA Gain Bandwidth Product at VCE = 6 V, IC = 10 mA Output Capacitance at VCB = 6 V, f = 1 MHz SEMTECH ELECTRONICS LTD. (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724) ® Dated : 10/12/2007 MMBTSC945 SEMTECH ELECTRONICS LTD. (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724) ® Dated : 10/12/2007
MMBTSC945
物料型号: - 型号为MMBTSC945。

器件简介: - MMBTSC945是一款NPN型外延平面晶体管,适用于开关和音频放大器应用。

引脚分配: - 1.BASE(基极) - 2.EMITTER(发射极) - 3.COLLECTOR(集电极) - 封装形式为SOT-23塑料封装。

参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - 集电极-发射极电压(VCEO):40V - 发射极-基极电压(VEBO):5V - 集电极电流(Ic):150mA - 总功耗(Ptot):200mW - 结温(T):150°C - 存储温度范围(Ts):-55至+150°C

- 特性值(Ta=25°C): - 在VcE=6V,Ic=1mA时的直流电流增益(hFE):最小40,典型值80,最大值范围70至400。 - 集电极-基极截止电流(ICcBO):最大0.1A。 - 发射极-基极截止电流(IEBO):最大0.1A。 - 集电极-基极击穿电压(V(BRCBO)):60V。 - 集电极-发射极击穿电压(V(BRCEO)):50V。 - 发射极-基极击穿电压(V(BREBO)):5V。 - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.3V。 - 增益带宽积(fT):300MHz。

功能详解: - 该晶体管可以在开关和音频放大器应用中使用,具有不同的直流电流增益等级,适用于不同的电流和电压条件。

应用信息: - 适用于开关和音频放大器应用。

封装信息: - 采用SOT-23塑料封装。
MMBTSC945 价格&库存

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