1. 物料型号：
- 型号为MMBTSD123。
2. 器件简介：
- MMBTSD123是一个NPN型硅外延平面晶体管，适用于低饱和度、中电流应用。
3. 引脚分配：
- 1.BASE（基极）
- 2.EMITTER（发射极）
- 3.COLLECTOR（集电极）
- 封装为SOT-23塑料封装。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：20V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：15V
- 发射极-基极电压（VEBO）：6.5V
- 集电极电流（Ic）：1A
- 总功耗（Ptot）：200mW
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度范围（Ts）：-55至+150°C
- 特征值在Ta=25°C时：
- DC电流增益hFE（VcE=1V，Ic=100mA）：最小150
- 集电极截止电流ICBO（VcB=20V）：最大100nA
- 发射极截止电流IEBO（VEB=6V）：最大100nA
- 集电极-基极击穿电压V(BRCBO)（Ic=50μA）：20V
- 集电极-发射极击穿电压V(BRCEO)（Ic=1mA）：15V
- 发射极-基极击穿电压V(BREBO)（Ie=50μA）：6.5V
- 集电极-发射极饱和电压VcE(sat)（Ic=500mA，Ib=50mA）：0.3V
- 转换频率fT（Vce=5V，Io=50mA）：260MHz
- 输出电容COB（Vcb=10V，f=1MHz）：5pF
5. 功能详解：
- 该晶体管是一个NPN型晶体管，具有低饱和度和中电流应用的特点，适用于需要这些特性的电路设计。
6. 应用信息：
- 适用于低饱和度、中电流应用，具体应用场景未在文档中详述。
7. 封装信息：
- 封装类型为SOT-23塑料封装。
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