### 物料型号
- 型号范围:1N6138A/US至1N6173A/US
### 器件简介
- 这些是SENSITRON SEMICONDUCTOR生产的瞬态电压抑制二极管,封装形式为轴向和MELF(中功率矩形)。
### 引脚分配
- 轴向封装:有两个引脚,一个为阳极,一个为阴极。
- MELF封装:两端分别为阳极和阴极。
### 参数特性
- 最小击穿电压(V(BR)):6.12V至190V不等,具体值取决于型号。
- 工作峰值反向电压(VRWM):所有型号均为175V。
- 最大反向电流(IR):5.0mA至5.2mA不等,具体值取决于型号。
- 最大钳位电压(VC@lp):以1ms为时间,峰值电压从500V至273V不等,具体值取决于型号。
- 最大峰值脉冲电流(IA(pk)):以10.5A至5.5A不等,具体值取决于型号。
- 最大温度系数(V(BR) %/°C):从0.05%/°C至0.110%/°C不等,具体值取决于型号。
### 功能详解
- 这些二极管用于保护电子设备免受电压瞬变的影响,如静电放电、电感负载切换引起的瞬变等。
### 应用信息
- 适用于需要电压保护的各种电子设备,特别是在电压瞬变可能造成损害的应用场合。
### 封装信息
- 轴向封装:长度1.00/1.30英寸(25.4/33.02毫米),直径0.135/0.185英寸(3.43/4.70毫米)。
- MELF封装:长度0.205/0.245英寸(5.21/6.22毫米),直径0.019/0.028英寸(0.48/0.71毫米)。