物料型号:
- LH28F020SU-N
器件简介:
- Sharp的LH28F020SU-N是一款2M(256K×8位)的Flash Memory,采用5V单电压操作,具备高速读写性能,适合用于嵌入式存储Flash Memory系统。
引脚分配:
- 32引脚,具体包括:
- Ao-A13:字节选择地址。
- A14-A17:块选择地址。
- DQ0-DQ7:数据输入/输出。
- CE:芯片使能输入。
- OE:输出使能。
- WE:写使能。
- VPP:擦写电源供应(5.0V±0.5V)。
- Vcc:器件电源供应(5.0V±0.5V)。
- GND:所有内部电路的地。
参数特性:
- 最大访问时间:80纳秒。
- 16个独立可锁定的块(每个16K)。
- 每个块100,000次擦除周期。
- 5微安(典型)CMOS待机电流。
功能详解:
- 系统性能增强:读时擦除暂停、两字节写入、全芯片擦除。
- 数据保护:硬件擦除/写锁定,软件擦除/写锁定。
- 0.55微米ETOX™ Flash技术。
应用信息:
- 适用于高密度存储卡、内置Flash阵列和PCMCIA-ATA Flash驱动器。
- 单电压电源操作使得可以在5V系统中读写存储卡。
封装信息:
- 32引脚,525mil SOP封装。
- 32引脚,1.2毫米厚,8毫米×20毫米TSOP(类型I)封装。