1. 物料型号:
- LH28F320S3-L11/14
2. 器件简介:
- LH28F320S3-L11/14是一款32-Mbit(4Mb x 8 或 2M x 16)的Smart 3 Technology闪存,工作电压为2.7V或3.3V,支持Common Flash Interface (CFI) 和可升级接口。
3. 引脚分配:
- 56-Lead SSOP和64-Lead CSP封装。
- 引脚包括地址输入(A0-A21)、数据输入/输出(DQ0-DQ15)、芯片使能(CE#)、复位/深电位下模式(RP#)、输出使能(OE#)、写使能(WE#)、状态指示(STS)、写保护(WP#)、字节使能(BYTE#)以及电源和地(Vcc, Vpp, GND)。
4. 参数特性:
- 工作电压:2.7V或3.3V。
- 页缓冲:32字节 x 2平面。
- 写入传输率:2.7μs/字节。
- 读性能:110/140ns(3.3V/0.3V),130/160ns(2.7V-3.6V)。
- 擦写周期:100,000次块擦除周期,每芯片6.4百万次块擦除周期。
5. 功能详解:
- 提供SRAM兼容的写入接口。
- 用户可配置x8或x16操作。
- 高密度、对称块结构,64个64-Kbyte可擦除块。
- 增强的数据保护特性,包括绝对的保护、灵活的块锁定和在电源转换期间的擦除/写入锁定。
- 低功耗管理,包括深电位下模式和自动电源节省模式。
6. 应用信息:
- 适用于广泛的应用,如办公电子仪器、测量设备、音频视频设备、家用电器、通信设备等。
7. 封装信息:
- 56-Lead SSOP和64-Lead CSP封装,适用于板级应用。