1. 物料型号：
- LH28F320S3-L11/14
2. 器件简介：
- LH28F320S3-L11/14是一款32Mbit（4Mx8/2Mx16）的Smart 3技术闪存，工作电压为2.7V或3.3V，支持通用闪存接口（CFI）和可升级接口，提供高速写入性能，具有32字节x2平面页缓冲，写入传输率为2.7μs/字节，读性能为110/140ns（3.3V/2.7V），具有增强的自动挂起选项。
3. 引脚分配：
- 56-Lead SSOP和64-Lead CSP两种封装形式，具体的引脚描述如下：
- A0-A21：地址输入，在读写操作中使用。
- DQ0-DQ15：数据输入/输出。
- CE#：芯片使能。
- RP#：复位/深度功耗降低模式。
- OE#：输出使能。
- WE#：写使能。
- STS：状态指示。
- WP#：写保护。
- BYTE#：字节使能。
- Vpp：块擦除、全芯片擦除、（多字/字节写入）、块锁位配置电源。
- Vcc：器件电源。
- GND：地。
4. 参数特性：
- 工作电压：2.7V或3.3V。
- 页缓冲：32字节x2平面。
- 写入性能：2.7μs/字节。
- 读性能：110/140ns（3.3V/2.7V）。
- 擦除周期：100,000次块擦除周期，每芯片6.4百万次块擦除周期。
5. 功能详解：
- 提供SRAM兼容的写入接口，用户可配置x8或x16操作。
- 64-Kbyte可擦除块，增强的数据保护特性。
- 低功耗管理，包括深度功耗降低模式和自动电源节省模式。
- 自动写入和擦除命令用户界面，状态寄存器。
6. 应用信息：
- 适用于办公电子仪器、测量设备、音频视频设备、家用电器、通信设备等。
7. 封装信息：
- 56-Lead SSOP和64-Lead CSP两种封装形式。
