LH28F800BGHB-TL12

LH28F800BGHB-TL12

  • 厂商:

    SHARP(夏普)

  • 封装:

  • 描述:

    LH28F800BGHB-TL12 - 8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories - Sharp Electrionic Components

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LH28F800BGHB-TL12 数据手册
LH28F800BGHB-TL12
1. 物料型号: - LH28F800BG-L/BGH-L (适用于TSOP, CSP封装)

2. 器件简介: - LH28F800BG-L/BGH-L是8M位(512KB x 16)的SmartVoltage闪存,采用SmartVoltage技术,适用于多种应用场景。它们可以在2.7V至5V的低电压下工作,延长电池寿命,适合手机等应用。具备启动、参数和主块架构,灵活的电压和增强的循环能力,非常适合便携终端和个人电脑。

3. 引脚分配: - 48引脚TSOP(Type I)和48球CSP(FBGA048-P-0808)两种封装方式。具体引脚功能包括地址输入(A0-A18)、数据输入/输出(DQ0-DQ15)、芯片使能(CE#)、复位/深度功耗下降(RP#)、输出使能(OE#)、写使能(WE#)、写保护(WP#)、就绪/忙(RY/BY#)、块擦除和字写入电源(VPP)、器件电源(Vcc)和地(GND)。

4. 参数特性: - 支持2.7V、3.3V或5V的VCC,以及2.7V、3.3V、5V或12V的VPP。 - 读访问时间:LH28F800BG-L85/BGH-L85为85ns(5.0±0.25V)/90ns(5.0±0.5V)/100ns(3.3±0.3V)/120ns(2.7至3.6V)。 - 增强型自动挂起选项,包括字写入挂起到读、块擦除挂起到字写入、块擦除挂起到读。 - 增强型数据保护特性,包括VPP=GND的绝对保护、块擦除/字写入期间的电源转换锁定、WP#=VIL的启动块保护。

5. 功能详解: - 具备两个4K字的启动块,六个4K字的参数块和十五个32K字的主块,可独立擦除,每个块可擦除高达100,000次。 - 智能电压技术提供多种VCC和VPP组合,以满足系统性能和功耗需求。 - 内部VCC和VPP检测电路自动配置设备以优化读写操作。 - 命令用户界面(CUI)作为系统处理器和设备内部操作之间的接口。

6. 应用信息: - 适用于需要低功耗、高性能和数据保护的应用,如网络、便携式终端和个人电脑。

7. 封装信息: - 提供48引脚TSOP和48球CSP两种封装方式,具体尺寸和引脚布局在文档中有详细描述。
LH28F800BGHB-TL12 价格&库存

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