LH28F800BGHE-TL85

### 物料型号 - 型号：LH28F800BG-L/BGH-L - 封装类型：48-pin TSOP (Type I) 和 48-ball CSP (FBGA048-P-0808)

### 器件简介 - 描述：8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories，具有SmartVoltage技术，适用于低电压操作，适合电池供电设备，如手机等。 - 操作电压：VCC = 2.7 V至5 V，VPP = 2.7 V至12 V。 - 架构：包括两个4 k-word的启动块，六个4 k-word的参数块和十五个32 k-word的主块。

### 引脚分配 - 48-PIN TSOP (Type I)：包括地址输入(A0-A18)，数据输入/输出(DQ0-DQ15)，芯片使能(CE#)，复位/深度功耗降低(RP#)，输出使能(OE#)，写使能(WE#)，写保护(WP#)，就绪/忙(RY/BY#)，VPP和VCC等。 - 48-BALL CSP：与TSOP封装相似，但为芯片级封装。

### 参数特性 - SmartVoltage技术：支持2.7 V, 3.3 V或5 V VCC和2.7 V, 3.3 V, 5 V或12 V VPP。 - 高性能读取访问时间：根据VCC和VPP电压不同，访问时间有所不同，范围从85 ns到150 ns。 - 增强型自动挂起选项：支持字写入挂起到读取、块擦除挂起到字写入、块擦除挂起到读取。 - 增强型数据保护特性：包括绝对的保护（VPP = GND），块擦除/字写入锁定在电源转换期间，以及引导块保护。

### 功能详解 - 块组织架构：非对称块架构，允许系统内存集成。每个擦除块可以独立擦除，最多100,000次。 - 块擦除和字写入：内部Write State Machine (WSM)自动执行块擦除和字写入操作。 - 电源管理：深度功耗降低模式和自动功耗节省模式，减少静态模式下的ICC。

### 应用信息 - 适用领域：便携式终端、个人电脑等，特别是需要低电压操作和长电池寿命的应用。

### 封装信息 - 48-pin TSOP：正常弯曲/反向弯曲。 - 48-ball CSP：FBGA048-P-0808。