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LH28F800BGRTL12

LH28F800BGRTL12

  • 厂商:

    SHARP(夏普)

  • 封装:

  • 描述:

    LH28F800BGRTL12 - 8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories - Sharp Electrionic Components

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
LH28F800BGRTL12 数据手册
LH28F800BGRTL12
### 物料型号 - 型号:LH28F800BG-L/BGH-L - 封装类型:48-pin TSOP (Type I) 和 48-ball CSP (FBGA048-P-0808)

### 器件简介 - 描述:8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories,具有SmartVoltage技术,适用于电压范围为2.7V至5V的VCC和VPP,适用于需要低电压操作的应用,如移动电话。 - 特点:高密度、低成本、非易失性、可读写存储解决方案,适用于便携式终端和个人计算机。

### 引脚分配 - 48-PIN TSOP (Type I):包括地址输入(A0-A18)、数据输入/输出(DQ0-DQ15)、芯片使能(CE#)、复位/深电平下模式(RP#)、输出使能(OE#)、写使能(WE#)、写保护(WP#)、就绪/忙(RY/BY#)、VPP和Vcc等引脚。 - 48-BALL CSP:与TSOP相似,但为芯片级封装。

### 参数特性 - 电压:支持2.7V、3.3V、5V和12V的VPP,以及2.7V、3.3V和5V的VCC。 - 读取访问时间:根据供电电压不同,访问时间在85ns至120ns之间。 - 写入和擦除:支持自动暂停选项,包括字写入暂停到读取、块擦除暂停到字写入、块擦除暂停到读取。 - 数据保护:提供绝对的保护和硬件引导块锁定。

### 功能详解 - 块组织结构:包括两个4k-word引导块、六个4k-word参数块和十五个32k-word主块。 - 写入接口:SRAM兼容的写入接口。 - 低功耗管理:包括深电平下模式和自动功耗节省模式。

### 应用信息 - 应用领域:适用于需要长电池寿命和灵活电压操作的便携式终端和个人计算机。

### 封装信息 - 48-pin TSOP:正常弯曲/反向弯曲。 - 48-ball CSP:芯片级封装。
LH28F800BGRTL12 价格&库存

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