### 物料型号
- 型号：LH28F800SG-L
- 封装：44-pin SOP (SOP044-P-0600)
### 器件简介
- LH28F800SG-L是一款采用Smart Voltage技术的闪存芯片，具备高密度、低成本、非易失性、可读写的存储解决方案，适用于多种应用场景。该芯片支持2.7V至5V的VCC和VPP，低电压运行能力有助于延长电池寿命，适合手机等应用。其对称阻断架构、灵活的电压选择和增强的循环能力使其成为居民闪存阵列、SIMM和存储卡的理想选择。增强的挂起功能使其成为代码+数据存储应用的理想选择。为确保代码安全，如网络应用中直接从闪存执行代码或下载到DRAM，LH28F800SG-L提供三级保护：VPP接地的绝对保护、选择性硬件块锁定或灵活的软件块锁定。
### 引脚分配
- 44-PIN SOP：包括地址输入（A0-A18）、数据输入/输出（DQ0-DQ15）、芯片启用（CE#）、复位/深电平下模式（RP#）、输出使能（OE#）、写使能（WE#）、就绪/忙（RY/BY#）、VPP和VCC等引脚。
### 参数特性
- Smart Voltage技术：支持2.7V、3.3V或5V的VCC，以及2.7V、3.3V、5V或12V的VPP。
- 高性能读取访问时间：根据VCC和VPP的不同电压组合，有不同的访问时间。
- 增强的自动挂起选项：包括字写入挂起到读取、块擦除挂起到字写入、块擦除挂起到读取。
- 8 M位（512 kB x 16）SmartVoltage闪存。
- 增强的数据保护功能：包括VPP=GND的绝对保护、灵活的块锁定、块擦除/字写入锁定在电源转换期间。
- SRAM兼容的写入接口。
- 高密度对称阻断架构：十六个32 k字的可擦除块。
- 增强的循环能力：100,000次块擦除周期，每芯片1.6百万次块擦除周期。
- 低功耗管理：深电平下模式、自动省电模式减少静态模式下的ICC。
### 功能详解
- LH28F800SG-L是一款8M位的SmartVoltage闪存，组织为512 kword的16位。数据排列在十六个32 kword的块中，每个块可以单独擦除、锁定和解锁。SmartVoltage技术提供了多种VCC和VPP组合。内部VCC和VPP检测电路自动配置设备以优化读写操作。命令用户界面（CUI）作为系统处理器和设备内部操作之间的接口。内部写状态机（WSM）自动执行块擦除、字写入和锁位配置操作所需的算法和定时。
### 应用信息
- 适用于需要低电压运行和长电池寿命的应用，如手机等。也适用于需要灵活的电压和增强循环能力的居民闪存阵列、SIMM和存储卡。增强的挂起功能和数据保护功能使其适合代码+数据存储应用。
