1. 物料型号：
- LH28F800SG-L，适用于SOP封装。
2. 器件简介：
- LH28F800SG-L是一款采用Smart Voltage技术的闪存，具备高密度、低成本、非易失性、可读写存储解决方案，适用于广泛的应用场景。该器件能在2.7V至5V的VCC和VPP下工作，低电压运行能力有助于延长电池寿命，适合手机等应用。其对称阻断架构、灵活的电压选择和增强的循环能力使其成为高度灵活的组件，适用于居民闪存阵列、SIMM和存储卡。其增强的挂起功能为代码+数据存储应用提供了理想解决方案。在需要安全代码存储的应用（如网络）中，LH28F800SG-L提供三级保护：VPP接地的绝对保护、选择性硬件块锁定或灵活的软件块锁定。
3. 引脚分配：
- 44引脚SOP封装，具体引脚功能包括地址输入（A0-A18）、数据输入/输出（DQ0-DQ15）、芯片使能（CE#）、复位/深电位下模式（RP#）、输出使能（OE#）、写使能（WE#）、就绪/忙（RY/BY#）、VPP和VCC等。
4. 参数特性：
- 支持2.7V、3.3V、5V或12V的VCC和VPP。
- 读访问时间：LH28F800SG-L70为70ns（5.0±0.25V）/80ns（5.0±0.5V）/85ns（3.3±0.3V）/100ns（2.7至3.0V）；LH28F800SG-L10为100ns（5.0±0.5V）/100ns（3.3±0.3V）/120ns（2.7至3.0V）。
- 增强的自动挂起选项，包括字写入挂起至读取、块擦除挂起至字写入、块擦除挂起至读取。
5. 功能详解：
- 提供8M位（512KB×16）SmartVoltage闪存。
- 增强的数据保护特性，包括VPP=GND的绝对保护、灵活的块锁定和块擦除/字写入锁定在电源转换期间。
- SRAM兼容的写入接口。
- 高密度对称阻断架构，十六个32K字的可擦除块。
- 增强的循环能力，100,000次块擦除周期和每芯片1.6百万次块擦除周期。
- 低功耗管理，包括深电位下模式和自动功耗节省模式，减少静态模式下的ICC。
6. 应用信息：
- 适用于需要安全代码存储的应用，如网络，其中代码直接从闪存执行或下载到DRAM。
7. 封装信息：
- 44引脚SOP封装（SOP044-P-0600）。
