物料型号：
- LH52253
器件简介：
- LH52253是一款高速256K位静态RAM，组织为64Kx4。这款RAM在操作时完全静态。芯片使能（E）在E不活动（高电平）时降低芯片的功耗。E和写入使能（W）的组合控制LH52253的操作模式。
引脚分配：
- 引脚包括地址输入（A0-A15）、数据输入/输出（DQ0-DQ3）、芯片使能输入（E）、写入使能输入（W）、输出使能输入（C）、正电源（Vcc）和地（Vss）。
参数特性：
- 供电电压：4.5V至5.5V
- 环境温度：0至70摄氏度
- 逻辑“0”输入电压：-0.5V至0.8V
- 逻辑“1”输入电压：2.2V至Vcc + 0.5V
- 直流工作电流：165mA（15ns周期时）
- 待机电流：1mA（E与Vcc之间-0.2V）
功能详解：
- LH52253能够在E和W都为低电平时进行写入周期，数据从数据引脚（DQ）传输到由16条地址线指定的存储位置。当E为低电平且W为高电平时，将发生静态读取。由于设备完全静态操作，可以通过简单地改变地址执行新的读取周期。自动电源关闭功能在读写周期超过最小周期时间时减少电流消耗。
应用信息：
- 该芯片适用于需要高速静态RAM的应用，例如计算机内存、高速缓存等。
封装信息：
- 28引脚300 mil双列直插式封装（DIP28-P-300）和28引脚300 mil小外形封装（SOJ28-P-300）。
