LRS1337

LRS1337

  • 厂商:

    SHARP(夏普)

  • 封装:

  • 描述:

    LRS1337 - Stacked Chip 32M Flash Memory and 4M SRAM - Sharp Electrionic Components

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LRS1337 数据手册
PRELIMINARY SPECIFICATIONS ® Integrated Circuits Group LRS1337 Stacked Chip 32M Flash Memory and 4M SRAM (Model No.: LRS1337) Spec No.: MFM2-J11504A Issue Date: June 21, 1999 SRAM, Flash Memory, Memory ICs, Stacked Chip Combo Chips Combination Chip Stack Chip
LRS1337
物料型号: - 型号名称:LRS1337 - 规格编号:MFM2-J11504A - 发行日期:1999年6月21日

器件简介: - LRS1337是一款集成了32M位闪存和4M位静态RAM的组合存储器,采用72引脚CSP塑料封装。

引脚分配: - 地址输入(A0-A16):共16个地址输入端,其中A0-A16为公共地址输入,F-A17-F-A19为闪存地址输入,S-A17为SRAM地址输入。 - 使能输入:包括F-BE(闪存使能),S-CE1和S-CE2(SRAM使能)。 - 写入和输出使能:F-WE(闪存写入使能),S-WE(SRAM写入使能),F-OE(闪存输出使能),S-OE(SRAM输出使能)。 - 数据输入输出:DQ0-DQ15为公共数据输入输出端。 - 电源和地:F-Vcc(闪存电源),S-Vcc(SRAM电源),GND(地)。

参数特性: - 电源电压:2.7V至3.6V - 工作温度:-25℃至+85℃ - 非辐射加固设计 - 72引脚CSP塑料封装

功能详解: - 闪存和SRAM均采用P型体硅工艺。 - 闪存部分具有优化的阵列封锁架构,包含两个4k字节引导块、六个4k字节参数块和三十一个32k字节主块。 - 闪存支持块擦除暂停和读取、写入暂停到读取、块擦除暂停到字等多种操作。 - SRAM部分访问时间为85ns,工作电流最大45mA。

应用信息: - 适用于办公电子、教育和工业、机床、家用电器、非干线通信设备等。 - 不适用于要求极高功能性、可靠性或准确性的设备,如航天设备、干线通信设备、核能控制设备、生命支持医疗设备等。

封装信息: - 72引脚CSP(LCSP072-P-0811)塑料封装。
LRS1337 价格&库存

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