P we MO F T o r SE
F 1 6C M 1F 0 P
60 1 0 V1 A
特長
煙低オン抵抗 煙絶縁タイプ
■外観図
O T IE U LN
nt : U i mm
P ca e F O 2 0 G a k g : T -2 A
ッ (例) ロ ト記号 Date code 管理番号 (例) Control No.
10
4.5
0000
品名略号 Type No.
F aue e tr
煙 L wR N oO 煙 I l e akg s a dP c a e ot
11F60CPM
13.5
15
①②③
①: G ②:D ③: S
外形図については新電元We サイトをご参照下さい。 b 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 F rd ti fteo t edme s n ,rfrt o rw b s e sfrte o easo h ul l i i n i s ee o u e i .A o h n o t mak g rfrotes e i ai Mak g T r n l o n ci " ri ,ee t h p c i t n" ri , emi C n e t n. n fo c n a o
■定格表
項
R TN S A IG
A s l eMa i m R t g(指定のない場合 bo t u x mu ai s n
記号 S mb l yo Tt sg Th c VS DS VS GS I D IP D I S P T Vi ds TR O
一括端子 ケース間, C1 ・ A 分間印加 T r n lt a e A emi s oc s , C1mi t a ne u (推奨値 0 N m) :.・ 3 (e o R c mme d dtru : .N m) n e oq e 03 ・ パルス幅 1μsd t = /0 0 , uy 110 Pl u eme s rme t1 µ , uy 11 0 s a ue n, 0 s d t= /0
●絶対最大定格
目 Im t e
T =2℃/ nes tewi seie ) c 5 U l oh r s p c i s e fd
規格値 R tg ai s n -5~10 55 10 5 60 0 ±3 0 1 1 3 3 1 1 5 0 2 0 . 5 W k V Nm ・ A 単位 Ui n t ℃ V
条件 C ni n o dt s i o
保存温度 Soa eT mp rtr trg e eaue チャネル温度 C a n l e eaue h n e T mp rtr ドレイン ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ゲート ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ドレイン電流 (直流) C ni o s ri urn (C o t u u Da n nC r tD ) e ドレイン電流 (ピーク) C ni o s ri urn (e k o t u u Da n nC r tP a ) e ソース電流 (直流) C ni o s o reC r n (C o t u u S uc ur tD ) n e 全損失 T tl o e Dsi t n oa P w r i p i s ao 絶縁耐圧 De cr t n t ie tcSr gh li e 締め付けトルク Mo ni oq e u t gT ru n
●電気的 熱的特性 ・
項 目 Im t e
Ee tc l h rcei i (指定のない場合 l r a C aa tr t s ci sc
記号 S mb l yo V R DS I=1 mA, G =0 VS V (B ) S D IS DS IS GS gs f VH T VD S θj c Q g Cs i s V f MH C s V S 10 , G =0 ,=1 z rs D = 0V V S Cs os t o) dn ( I=5 A, DD=10 , L=2. .V 5 5V R 7Ω 3 D 0 , G( V t of V S +)= 1V V S -)=0 df ( ) G( t f t r V S 0V V S=0 V D =60 , G V S ±3V V S=0 0,D V G= I=5 A, DS=1V .V 5 0 D I=1 mA, DS=1V V 0 D I . V S=0 =5 A, G 5 V S
接合部 ケース間 ・ J n t nt a e u ci oc s o
T = 2℃/ nes tewi seie ) c 5 U l oh r s p c i s e fd
規格値 R t g ai s n MI T P MAX N Y 60 0 ─ ─ 4 . 5 ─ 2 . 5 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 9 07 . 2 3 . 0 ─ ─ 2 2 10 10 2 . 5 6 0 2 0 2 5 8 0 2 5 ─ 1 0 ±0 . 1 ─ 0 . 3 3 . 5 1 . 5 2 . 5 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ n s p F 単位 Ui n t V μA S Ω V ℃/ W n C
条件 C ni n o dt s i o
ドレイン ソース間降伏電圧 ・ D a - o reBe k o nV l g ri S uc ra d w o a e n t ドレイン遮断電流 Z r aeV l g ri urn eoG t o a eD a t nC r t e ゲート漏れ電流 G t- o reL a a eC r n aeS uc e k g ur t e 順伝達コンダクタンス F r adTa s o d ca c ow r rn c n u tn e ドレイン ソース間オン抵抗 ・ Sai ri S uc nsaeR s tn e tt a - o reO -tt e i a c cD n s ゲートしきい値電圧 G t he s o o a e aeT rsh l l g dV t ソース ドレイン間ダイオード順電圧 ・ S uc - ri i eF r a eV l g o reD a nDo d ow d o a e t 熱抵抗 T ema R s tn e h r l eia c s ゲート全電荷量 T tl aeC ag oa G t h re 入力容量 I u C p cac n t a aine p t 帰還容量 R v reTa s r a a i n e e es rn f C p c a c e t 出力容量 O tu C p c a c up t a a i n e t ターンオン遅延時間 T r-nd l t uno e y i a me 上昇時間 Rs i i me et ターンオフ遅延時間 T r-fd l t unof e y i a me 下降時間 Fli at l me
R S ON I= 5 A, G =1V . VS 0 5 (D ) D
V S 0 ,D=1A, DD=40 1V 0V G =1V I
S E〈 0 00 〉 (MO F T 2 1 .7)
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F 1 6C M 1F 0 P
■特性図 C A A T RS I DA R MS H R C E ITC IG A
出力特性 伝達特性 ドレイン ソース間オン抵抗─ ・ ドレイン電流
Typical Output Characteristics
2 2 2 0
Transfer Characteristics
Tc=25℃ TYP 2 2 2 T =− 5 0 c 5℃ 2℃ 5 0℃ 10 5℃ 10
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance RDS ON) ( 〔Ω〕
5 VGS= 0V 1 Tc= 5℃ 2 TYP Pulse measurement
VGS=1 V GS 0 8 V
Pulse measurement 1 5
2 1 0 . 5
VGS=6 GS=6 V
Drain Current ID 〔A〕
Drain Current ID 〔A〕
1 5
1 0
1 0
0 . 2 0 . 1
5
GS=5 V VGS=5
5
VDS=20V TYP Pulse measurement 5 1 0 1 5 2 0
0 0
VGS=4 GS V
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
2
4
6
8
1 0
0 0
Gate Source Voltage VGS 〔V〕
05 . 0 0 .0 1 . 2
Drain Current ID 〔A〕
0 . 5
1
2
5
1 0
2 2
ドレイン ソース間オン抵抗─ケース温度 ・
ゲー し ト きい値電圧─ケース温度
安全動作領域
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON) 〔Ω〕
1 0 Pulse measurement
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
5 Pulse measurement
Safe Operating Area
10 0 3 3 2 2
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
4
Drain Current ID 〔A〕
1 1
1
10μs
ID=5 A =5 5 .
3
RDS on) (on) Restricted space
1
100μs 200μs 1ms 10ms
2
0 . 1
1 VDS= 0V 1 ID=1 mA TYP −5 5
0 . 1
DC
01 . 0
−5 5
Case Temperature Tc 〔℃〕
0
5 0
VGS= 0V 1 Pulse test TYP 10 0 10 5
0
Case Temperature Tc 〔℃〕
0
5 0
10 0
10 5
Tc= 5℃ 2 Single pulse 01 . 0 1
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
1 0
10 0
60 0
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率─ケース温度
Transient Thermal Impedance
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
θjc θjc
Capacitance Characteristics
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
Power Derating - Case Temperature
10 0
Cs is
8 0
Power Derating 〔%〕
40 0 60 0
Co s s
6 0
4 0
Cr s s
2 0 f= 1MHz Tc= 5℃ 2 TYP 0 10 0
1 -5 1 -4 0 0
1 -3 0
Time t 〔s〕
1 -2 0
1 -1 0
10 0
11 0
12 0
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
20 0
30 0
50 0
0 0
2 5
Case Temperature Tc〔℃〕
5 0
7 5
10 0
15 2
10 5
ゲー トチャージ特性
Gate Charge Characteristics
50 0 ID=1 1A TYP
2 0
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
40 0
1 5
30 0
VDD=4 0 =4 V 0 20 0V 10 0V
VGS GS
1 0 20 0 5
10 0
0 0
8
Total Gate Charge Qg 〔nC〕
1 6
2 4
3 2
0 4 0
Gate Source Voltage VGS 〔V〕
VDS
*Sn wa e 0 z ie v は5H で測定しています。 * 5 H s ew v s s dfr a ue ns 0 z i a eiu e o me s rme t. n
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