F11S80C3

P we MO F T o r SE F 1 8C 1S 0 3 80 1 0 V1 A 特長 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 煙面実装タイプ ■外観図 O T IE U LN nt ： U i mm P ca e S O 2 0 a k g ： T -2 ロ ト記号 ッ （例） Date code （例） 管理番号 Control No. 品名略号 Type No. 10.2 ④ 00 00 11S80C3 F aue e tr 煙 L wR N oO 煙 Fs S ih g a t wt i cn MDP c a e akg 煙S ①②③ 13.2 4.7 ①: G ②:D ③: S ④:D 外形図については新電元We サイトをご参照下さい。 b 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 F rd ti fteo t edme s n ,rfrt o rw b s e sfrte o easo h ul l i i n i s ee o u e i .A o h n o t mak g rfrotes e i ai Mak g T r n l o n ci " ri ,ee t h p c i t n" ri , emi C n e t n. n fo c n a o ■定格表 項 R TN S A IG A s l eMa i m R t g（指定のない場合 bo t u x mu ai s n 記号 S mb l yo Tt sg Th c VS DS VS GS I D IP D I S P T パルス幅 1 μs d t= /0 0 , uy 11 0 P l i h1 µ , uy 11 0 u ewd 0 s d t= /0 s t ●絶対最大定格 目 Im t e T ＝2℃） c5 規格値 R tg ai s n －5～10 55 10 5 80 0 ±3 0 1 1 3 3 1 1 5 0 A W 単位 Ui n t ℃ V 条件 C ni n o dt s i o 保存温度 Soa eT mp rtr trg e eaue チャネル温度 C a n l e eaue h n e T mp rtr ドレイン ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ゲート ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ドレイン電流 （直流） C ni o s ri urn (C o t u u Da n nC r tD ) e ドレイン電流 （ピーク） C ni o s ri urn (e k o t u u Da n nC r tP a ) e ソース電流 （直流） C ni o s o reC r n (C o t u u S uc ur tD ) n e 全損失 T tl o e Dsi t n oa P w r i p i s ao ●電気的 熱的特性 ・ 項 目 Im t e Ee tc l h rcei i （指定のない場合 l r a C aa tr t s ci sc 記号 S mb l yo V R DS I＝1 mA, G ＝0 VS V （B ） S D IS DS IS GS gs f VH T VD S θj c Q g Cs i s C s V S 2V V S＝0 ,＝1 z rs V f MH D＝ 5,G Cs os t o） dn （ I＝ 5 A, DD＝10 , L＝ 2. .V 5 5V R 7Ω 3 D 0 , G（ V t of V S ＋）＝ 1V V S －）＝0 df （ ） G（ t f t r V S 0V V S＝0 V D ＝80 , G V S ±3V V S＝0 0,D V G＝ I＝ 5 A, DS＝1V .V 5 0 D I＝ 0 mA, DS＝1V . 5 V 0 D I 5 A, G ＝0 ＝ . VS V 5 S 接合部 ケース間 ・ J n t nt a e u ci oc s o T ＝ 2℃） c5 規格値 R t g ai s n MI T P MAX N Y 80 0 ─ ─ 4 . 2 ─ 2 . 1 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 8 . 3 09 . 3 3 . 0 ─ ─ 5 4 19 60 2 2 70 4 2 1 3 0 25 2 3 5 ─ 2 5 ±0 . 1 ─ 05 . 4 3 . 9 1 . 5 2 . 5 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ n s p F 単位 Ui n t V μA S Ω V ℃/ W n C 条件 C ni n o dt s i o ドレイン ソース間降伏電圧 ・ D a - o reBe k o nV l g ri S uc ra d w o a e n t ドレイン遮断電流 Z r aeV l g ri urn eoG t o a eD a t nC r t e ゲート漏れ電流 G t- o reL a a eC r n aeS uc e k g ur t e 順伝達コンダクタンス F r adTa s o d ca c ow r rn c n u tn e ドレイン ソース間オン抵抗 ・ Sai ri S uc nsaeR s tn e tt a - o reO -tt e i a c cD n s ゲートしきい値電圧 G t he s o o a e aeT rsh l l g dV t ソース ドレイン間ダイオード順電圧 ・ S uc - ri i eF r a eV l g o reD a nDo d ow d o a e t 熱抵抗 T ema R s tn e h r l eia c s ゲート全電荷量 T tl aeC ag oa G t h re 入力容量 I u C p cac n t a aine p t 帰還容量 R v reTa s r a a i n e e es rn f C p c a c e t 出力容量 O tu C p c a c up t a a i n e t ターンオン遅延時間 T r-nd l t uno e y i a me 上昇時間 Rs i i me et ターンオフ遅延時間 T r-fd l t unof e y i a me 下降時間 Fli at l me R S ON I＝ 5 A, G ＝1V . VS 0 5 （D ） D V S 0 ,D＝1A, DD＝40 1V 0V G ＝1V I ※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、 . 1〔℃/ を御使用下さい。 2 W〕 但し、 上記印加電流、 電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。 T e u ci e eaues a uae rm te ae e eauetemars tn e a e ss . W. s i h S f O eaigAra o ip t urn a dv l g . h Jn t nT mp rtr icl l df o c t o h cs tmp rtr,h r lei a c v l ue 1 ℃/ U ente ae p rt s u 2 n e frn u c re t n o a e t S E〈 0 00 〉 （MO F T 2 1 .6） www. id n e . . /rd c/ mi s n e g nc j po u t e / h op s F 1 8C 1S 0 3 ■特性図 C A A T RS I DA R MS H R C E ITC IG A 出力特性 伝達特性 ドレイン ソース間オン抵抗─ ・ ドレイン電流 Typical Output Characteristics ２ ０ １Ｖ ０ ８ Ｖ Transfer Characteristics ２ ２ ２ ０ Ｔ =− ５ ｃ ５℃ ２℃ ５  ０℃ １０ Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current Static Drain-Source On-state Resistance RDS ON） （ 〔Ω〕 １ ０ ５ VGS＝10V Tc＝ ５℃ ２ TYP Pulse measurement VＧS=６ ＧS=６ Ｖ Drain Current ID 〔A〕 １ ５ Drain Current ID 〔A〕 １ ５  ５℃ １０ ２ １ ０ ． ５ １ ０ Tc=25℃ TYP Pulse measurement １ ０ ５ ５ VＧS=４ ＧS Ｖ ０ ０ ５ １ ０ １ ５ ２ ０ ０ ０ ５ １ ０ VDS=２ ５V TYP Pulse measurement １ ５ ２ ０ ０ ． ２ ０ ． １ ０ ．０ １ ． ２ Drain Source Voltage VDS 〔V〕 Gate Source Voltage VGS 〔V〕 Drain Current ID 〔A〕 ０ ． ５ １ ２ ５ １ ０ ２ ２ ドレイン ソース間オン抵抗─ケース温度 ・ ゲー し ト きい値電圧─ケース温度 安全動作領域 Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Static Drain-Source On-static Resistance RDS（ON） 〔Ω〕 １ ０ Pulse measurement Gate Threshold Voltage vs Case Temperature ５ Pulse measurement Safe Operating Area ３ ３ ２ ２ １ １ 10μs Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 ４ １ ID=５ A =５ ５ ５A Drain Current ID 〔A〕 ３ １ RDS on） （on） Restricted space 100μs 200μs 1ms ２ ０ ． １ ０ ． １ １ VDS＝ ０V １ ID=０ mA ５ . TYP −５ ５ 10ms DC ０１ ． ０ −５ ５ Case Ｔemperature Tc 〔℃〕 ０ ５ ０ VGS＝10V Pulse test TYP １０ ０ １０ ５ ０ Case Temperature Tc 〔℃〕 ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ Tc＝ ５℃ ２ Single pulse ０１ ． ０ １ Drain Source Voltage VDS 〔V〕 １ ０ １０ ０ ８０ ０ 過渡熱抵抗 キャパシタンス特性 全損失減少率─ケース温度 Transient Thermal Impedance １０ ０ Capacitance Characteristics １００ ０００ Power Derating - Case Temperature １０ ０ Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕 １ ０ θjc θjc １ １００ ００ Ｃｓ ｉｓ １０ ００ Ｃo ｓ ｓ ８ ０ Power Derating 〔%〕 ６ ０ ０ １ . １０ ０ ４ ０ ０１ ０ . １ ０ f＝ １MHz Tc＝ ５℃ ２ TYP １ 1 ２ ０ Ｃr ｓ ｓ ２ ０ ０.０ １ -５ ０ １ ０ １ -４ ０ １ -３ ０ Time t 〔s〕 １ -２ ０ １ -１ ０ １０ ０ １１ ０ Drain Source Voltage VDS 〔Ｖ〕 ４ ０ ６ ０ ８ ０ １０ ０ ０ ０ ２ ５ Case Temperature Tc〔℃〕 ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １０ ５ ゲー トチャージ特性 Gate Charge Characteristics ５０ ０ ID=１ １A TYP ２ ０ Drain Source Voltage VDS 〔V〕 ４０ ０ １ ５ ３０ ０ VDD=４ ０ =４ Ｖ ０ ２０ ０Ｖ １０ ０Ｖ VＧS ＧS １ ０ ２０ ０ ５ １０ ０ ０ ０ ２ ０ Total Gate Charge Qg 〔nC〕 ４ ０ ６ ０ ８ ０ ０ １０ ０ Gate Source Voltage VGS 〔V〕 VDS ＊ Sn wa e 0 z ie v は5H で測定しています。 ＊ 5 H s ew v s s dfr a ue ns 0 z i a eiu e o me s rme t. n www. id n e . . /rd c/ mi s n e g nc j po u t e / h op s S E〈 0 00 〉 （MO F T 2 1 .6）