P we MO F T o r SE
F0 0 3 2 W6 C
60 0 0 V2 A
特長
煙低オン抵抗 煙高速スイッチング
■外観図
O T IE U LN
nt : U i mm 5 ④ 16
P c a e MT -P akg : O 3
ロ ト記号 ッ (例) Date code 管理番号 (例) Control No. 品名 Type No.
0000
20W60C3
F aue e tr
20
煙 L wR N oO 煙 Fs S ih g a t wt i cn
21
①
②
③
①: G ②:D ③: S ④:D
外形図については新電元We サイトをご参照下さい。 b 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 F rd ti fteo t edme s n ,rfrt o rw b s e sfrte o easo h ul l i i n i s ee o u e i .A o h n o t mak g rfrotes e i ai Mak g T r n l o n ci " ri ,ee t h p c i t n" ri , emi C n e t n. n fo c n a o
■定格表
項
R TN S A IG
A s l eMa i m R t g(指定のない場合 bo t u x mu ai s n
記号 S mb l yo Tt sg Th c VS DS VS GS I D IP D I S P T TR O
(推奨値 05 ・ ) : .N m (e o R c mme d dtru : .N m) n e oq e 05 ・ パルス幅 1 μs d t= /0 0 , uy 11 0 P l i h1 µ , uy 11 0 u ewd 0 s d t= /0 s t
●絶対最大定格
目 Im t e
T =2℃) c5
規格値 R tg ai s n -5~10 55 10 5 60 0 ±3 0 2 0 6 0 2 0 7 5 0 . 8 A W Nm ・ 単位 Ui n t ℃ V
条件 C ni n o dt s i o
保存温度 Soa eT mp rtr trg e eaue チャネル温度 C a n l e eaue h n e T mp rtr ドレイン ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ゲート ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ドレイン電流 (直流) C ni o s ri urn (C o t u u Da n nC r tD ) e ドレイン電流 (ピーク) C ni o s ri urn (e k o t u u Da n nC r tP a ) e ソース電流 (直流) C ni o s o reC r n (C o t u u S uc ur tD ) n e 全損失 T tl o e Dsi t n oa P w r i p i s ao 締め付けトルク Mo ni oq e u t gT ru n
●電気的 熱的特性 ・
項 目 Im t e
Ee tc l h rcei i (指定のない場合 l r a C aa tr t s ci sc
記号 S mb l yo V R DS I=1 mA, G =0 VS V (B ) S D IS DS IS GS gs f VH T VD S θj c Q g Cs i s C s V S 2V V S=0 ,=1 z rs V f MH D= 5,G Cs os t o) dn ( t r I= 1A, DD=10 , L=1Ω 0V 5V R 5 D 0 , G( V t of V S +)= 1V V S -)=0 df ( ) G( t f V S 0V V S=0 V D =60 , G V S ±3V V S=0 0,D V G= I= 1A, DS=1V 0V 0 D I= 1 mA, DS=1V V 0 D I 1A, G =0 = 0 VS V S
接合部 ケース間 ・ J n t nt a e u ci oc s o
T = 2℃) c5
規格値 R t g ai s n MI T P MAX N Y 60 0 ─ ─ 8 . 7 ─ 2 . 1 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 1. 7 5 06 . 1 3 . 0 ─ ─ 8 7 20 40 5 0 70 8 3 2 6 0 35 5 6 0 ─ 2 5 ±0 . 1 ─ 09 . 1 3 . 9 1 . 5 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ n s p F 単位 Ui n t V μA S Ω V
条件 C ni n o dt s i o
ドレイン ソース間降伏電圧 ・ D a - o reBe k o nV l g ri S uc ra d w o a e n t ドレイン遮断電流 Z r aeV l g ri urn eoG t o a eD a t nC r t e ゲート漏れ電流 G t- o reL a a eC r n aeS uc e k g ur t e 順伝達コンダクタンス F r adTa s o d ca c ow r rn c n u tn e ドレイン ソース間オン抵抗 ・ Sai ri S uc nsaeR s tn e tt a - o reO -tt e i a c cD n s ゲートしきい値電圧 G t he s o o a e aeT rsh l l g dV t ソース ドレイン間ダイオード順電圧 ・ S uc - ri i eF r a eV l g o reD a nDo d ow d o a e t 熱抵抗 T ema R s tn e h r l eia c s ゲート全電荷量 T tl aeC ag oa G t h re 入力容量 I u C p cac n t a aine p t 帰還容量 R v reTa s r a a i n e e es rn f C p c a c e t 出力容量 O tu C p c a c up t a a i n e t ターンオン遅延時間 T r-nd l t uno e y i a me 上昇時間 Rs i i me et ターンオフ遅延時間 T r-fd l t unof e y i a me 下降時間 Fli at l me
R S ON I= 1A, G =1V 0 VS 0 (D ) D
1 6 ℃/ . 6 W n C
V S 0 ,D=2A, DD=40 0V 0V G =1V I
※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、 . 0〔℃/ を御使用下さい。 6 W〕 但し、 上記印加電流、 電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。 T e u ci e eaues a uae rm te ae e eauetemars tn e a e ss . W. s i h S f O eaigAra o ip t urn a dv l g . h Jn t nT mp rtr icl l df o c t o h cs tmp rtr,h r lei a c v l ue 0 ℃/ U ente ae p rt s u 6 n e frn u c re t n o a e t
S E〈 0 00 〉 (MO F T 2 1 .6)
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F0 0 3 2 W6 C
■特性図 C A A T RS I DA R MS H R C E ITC IG A
出力特性 伝達特性 ドレイン ソース間オン抵抗─ ・ ドレイン電流
Typical Output Characteristics
4 0 3 5 1V 0 8 V 6 V Tc=25℃ TYP Pulse measurement
Transfer Characteristics
4 0 3 5 T =− 5 c 5℃ 2℃ 5 0℃ 10
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
1 0 5 2 1 0 . 5 0 . 2 0 . 1 VGS= 0V 1 Tc= 5℃ 2 TYP Pulse measurement
Drain Current ID 〔A〕
Drain Current ID 〔A〕
3 0 2 5 2 0 1 5 1 0 5 0 0 5 1 0
3 0 2 5 2 0 1 5 1 0 5 0 0 5 1 0
5℃ 10
5 V
VGS=4 GS V
VDS=20V TYP Pulse measurement 1 5 2 0
05 . 0 02 . 0 01 . 0 00 .. 12 0 . 5 1 2 5 1 0 2 0 5 0
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
1 5
2 0
2 5
Gate Source Voltage VGS 〔V〕
Drain Current ID 〔A〕
ドレイン ソース間オン抵抗─ケース温度 ・
ゲー し ト きい値電圧─ケース温度
安全動作領域
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
Static Drain-Source On-static Resistance RDS(ON) 〔Ω〕
1 Pulse measurement
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
5 Pulse measurement
Safe Operating Area
10 0 6 0 4 0 2 0 1 0
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
4
10μs
Drain Current ID 〔A〕
ID=10A
0 . 1
3
RDS on) (on) Restricted space
1
100μs 200μs 1ms
2
1 VDS= 0V 1 ID=1mA TYP −5 5
0 . 1
10ms DC
01 . 0
−5 5
Case Temperature Tc 〔℃〕
0
5 0
VGS=10V Pulse test TYP 10 0 10 5
0
Case Temperature Tc 〔℃〕
0
5 0
10 0
10 5
Tc= 5℃ 2 Single pulse 01 . 0 0
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
1 0
10 0
60 0
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率─ケース温度
Transient Thermal Impedance
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
1 0 θjc θjc 1
Capacitance Characteristics
100 00
Power Derating - Case Temperature
10 0
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
Cs is 8 0
Co s s 10 0
Power Derating 〔%〕
10 00
6 0
0.1
4 0
0.0 1
1 0 f= 1MHz Tc= 5℃ 2 TYP 1 0 2 0
Cr s s
2 0
0.0 1 -5 0 1 0 1 -4 0
1 -3 0
Time t 〔s〕
1 -2 0
1 -1 0
10 0
11 0
12 0
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
4 0
6 0
8 0
10 0
0 0
2 5
Case Temperature Tc〔℃〕
5 0
7 5
10 0
15 2
10 5
ゲー トチャージ特性
Gate Charge Characteristics
50 0 ID=2 0A TYP
2 0
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
40 0
1 5
30 0
VDD=4 0 =4 V 0 20 0V 10 0V
VGS GS
1 0
20 0 5
10 0
0 0
4 0
Total Gate Charge Qg 〔nC〕
8 0
10 2
10 6
0 20 0
Gate Source Voltage VGS 〔V〕
VDS
* Sn wa e 0 z ie v は5H で測定しています。 * 5 H s ew v s s dfr a ue ns 0 z i a eiu e o me s rme t. n
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