P we MO F T o r SE
FB 2 P 6 5H
55 A 2 V6
特長
煙低オン抵抗 煙面実装タイプ
■外観図
O T IE U LN
nt : U i mm
P ca e F akg : B
6.6
品名略号 Type No.
2.3 ④
F6B52H
10
F aue e tr
煙 L wR N oO 煙S MDP c a e akg
000A00
ッ (例) ロ ト記号 Date code
①
②
③
外形図については新電元We サイトをご参照下さい。 b 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 F rd ti fteo t edme s n ,rfrt o rw b s e sfrte o easo h ul l i i n i s ee o u e i .A o h n o t mak g rfrotes e i ai Mak g T r n l o n ci " ri ,ee t h p c i t n" ri , emi C n e t n. n fo c n a o
■定格表
項
R TN S A IG
A s l eMa i m R t g(指定のない場合 bo t u x mu ai s n
記号 S mb l yo Tt sg Th c VS DS VS GS I D IP D I S P T I AR E AS E AR T h 5℃ c =10
T = c からのスターティング温度 T h 2℃ cT h c= 5 Sat gtmp rtr c = c Th 2 ˚ trn e eaueTh T , c = 5C i T = c からのスターティング温度 T h 2℃ cT h c= 5 Sat gtmp rtr c = c Th 2 ˚ trn e eaueTh T , c = 5C i パルス幅 1μsd t = /0 0 , uy 110 P l i h1 µ , uy 11 0 u ewd 0 s d t= /0 s t
●絶対最大定格
目 Im t e
T =2℃/ nes tewi seie ) c 5 U l oh r s p c i s e fd
規格値 R tg ai s n -5~10 55 10 5 55 2 ±3 0 6 2 4 6 1 5 6 5 0 5 30 5 W A mJ A/ μs 単位 Ui n t V μA S Ω V A 単位 Ui n t ℃ V
条件 C ni n o dt s i o
保存温度 Soa eT mp rtr trg e eaue チャネル温度 C a n l e eaue h n e T mp rtr ドレイン ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ゲート ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ドレイン電流 (直流) C ni o s ri urn (C o t u u Da n nC r tD ) e ドレイン電流 (ピーク) C ni o s ri urn (e k o t u u Da n nC r tP a ) e ソース電流 (直流) C ni o s o reC r n (C o t u u S uc ur tD ) n e 全損失 T tl o e Dsi t n oa P w r i p i s ao 繰り返しアバランシェ電流 R p ti v l c eC r n e ei eA a n h ur t t v a e 単発アバランシェエネルギー Sn l v l c eE eg i eA a n h n ry g a 繰り返しアバランシェエネルギー R p ti v l c eE eg e ei eA a n h n ry t v a ドレインソース間ダイオード D a - o reDo e ri S uc i n d
d/ t I= 6 T =2℃ i d A, c 5 S 記号 S mb l yo V R DS I=1 mA, G =0 VS V (B ) S D IS DS IS GS gs f VH T VD S θj c Q g Cs i s C s V S 3V V S=0 ,=1 z rs V f MH D= 5,G Cs os I=3 R =5Ω, A, L 0 D 5V V D=10 , D t of df () 0 , G( V V S +)= 1V V S -)=0 G ( t f t r
www. id n e . . /rd c/ mi s n e g nc j po u t e / h op s
●電気的 熱的特性 ・
項 目 Im t e
Ee tc l h rcei i (指定のない場合 l r a C aa tr t s ci sc
条件 C ni n o dt s i o V S 55 , G =0 V D = 2V V S V S ±2V V S=0 5,D V G= I= 3 V S=1V A, D 0 D I=1 mA, DS=1V V 0 D I A, G =0 =3 V S V S
接合部 ケース間 ・ J n t nt a e u ci oc s o
T = 2℃/ nes tewi seie ) c 5 U l oh r s p c i s e fd
規格値 R t g ai s n MI T P MAX N Y 55 2 ─ ─ 2 ─ 3 . 0 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 6 1 . 0 35 . 7 ─ ─ 1 0 50 8 4 6 5 1 5 1 0 4 0 1 5 ─ 10 0 ±1 0 ─ 1 . 2 4 . 5 1 . 5 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ n s p F
ドレイン ソース間降伏電圧 ・ D a - o reBe k o nV l g ri S uc ra d w o a e n t ドレイン遮断電流 Z r aeV l g ri urn eoG t o a eD a t nC r t e ゲート漏れ電流 G t- o reL a a eC r n aeS uc e k g ur t e 順伝達コンダクタンス F r adTa s o d ca c ow r rn c n u tn e ドレイン ソース間オン抵抗 ・ Sai ri S uc nsaeR s tn e tt a - o reO -tt e i a c cD n s ゲートしきい値電圧 G t he s o o a e aeT rsh l l g dV t ソース ドレイン間ダイオード順電圧 ・ S uc - ri i eF r a eV l g o reD a nDo d ow d o a e t 熱抵抗 T ema R s tn e h r l eia c s ゲート全電荷量 T tl aeC ag oa G t h re 入力容量 I u C p cac n t a aine p t 帰還容量 R v reTa s r a a i n e e es rn f C p c a c e t 出力容量 O tu C p c a c up t a a i n e t ターンオン遅延時間 T r-nd l t uno e y i a me 上昇時間 Rs i i me et ターンオフ遅延時間 T r-fd l t unof e y i a me 下降時間 Fli at l me
R S ON I= 3 V S=1V A, G 0 (D ) D
8 3 ℃/ . 3 W n C
V D=40 , G =1V I=6 0V V S 0 ,D A D
t o) dn (
S E〈 0 00 〉 (MO F T 2 1 .7)
FB 2 P 6 5H
■特性図 C A A T RS I DA R MS H R C E ITC IG A
出力特性 伝達特性 ドレイン ソース間オン抵抗─ ・ ドレイン電流
Typical Output Characteristics
1 2 1 0
Transfer Characteristics
1 2 1 0
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance RDS ON) ( 〔Ω〕
2 0 1 0 5 VGS= 0V 1 Tc= 5℃ 2 TYP Pulse measurement
VGS=1 V GS 0 8 V
VGS=6 GS=6 V
T =− 5 c 5℃ 2℃ 5
5℃ 10 0℃ 10
Drain Current ID 〔A〕
Drain Current ID 〔A〕
8 6 4 2 0 0
8 6 4 2 0 0
2 1 0 . 5
VGS=5 GS=5 V
Tc=25℃ Pulse measurement TYP
VDS=20V TYP Pulse measurement 5 1 0 1 5 2 0
0 . 2 0 . 1 0 . 1 0 . 2 0 . 5 1 2 5 12 01
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
5
1 0
1 5
2 0
2 5
Gate Source Voltage VGS 〔V〕
Drain Current ID 〔A〕
ドレイン ソース間オン抵抗─ケース温度 ・
ゲー し ト きい値電圧─ケース温度
安全動作領域
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON) 〔Ω〕
1 0 5 Pulse measurement
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
6 Pulse measurement
Safe Operating Area
5 0 2 4 1 8 1 2
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
5 4 3 2 1 0
10μs
2 1 0 . 5
Drain Current ID 〔A〕
6
ID=3 =3 A
1
100μs
RDS on) (on) Restricted space
200μs 1ms
0 . 1 10ms Tc= 5℃ 2 Single pulse DC 1 0 10 0 55 2
0 . 2 0 . 1 −5 5 VGS= 0V 1 TYP
VDS= 0V 1 ID=1 mA TYP −5 5
Case Temperature Tc 〔℃〕
0
5 0
10 0
10 5
Case Temperature Tc 〔℃〕
0
5 0
10 0
10 5
01 . 0 1
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率─ケース温度
Transient Thermal Impedance
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
10 0
Capacitance Characteristics
50 00
Power Derating - Case Temperature
10 0
1 0
θjc θjc
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
10 00
Power Derating 〔%〕
8 0 10 0
Cs is
8 0
1
10 0
6 0
Co s s
0.1
4 0
1 0 Cr s s f= 1MHz Tc= 5℃ 2 TYP 1 0 2 0
0.0 1
2 0
0.0 1 -5 0 1 0
1 -4 0
1 -3 0
Time t 〔s〕
1 -2 0
1 -1 0
10 0
11 0
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
4 0
6 0
0 0
2 5
Case Temperature Tc〔℃〕
5 0
7 5
10 0
15 2
10 5
ゲー トチャージ特性
単発アバランシ ェ電流 ─インダクタンス
ID=6 A TYP 2 0
単発アバランシ ェエネルギー減少率─チャ ネル温度
Gate Charge Characteristics
50 0
Single Avalanche Current vs Inductive Load
5 0
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
10 0
Drain Source Voltage VDS 〔V〕
Gate Source Voltage VGS 〔V〕
40 0
VDS VDD=4 0 =4 V 0 20 0V 10 0V VGS GS
Single Avalanche Energy Derating〔%〕
Single Avalanche Current IAS 〔A〕
VDD= 0 1 0V VGS= 5V,− 1 0V Rg= 0 Ω 10
1 5
8 0
1 0 6
IAS= 6A EAR= mJ 5mJ 5 EAS= 0mJ 5
30 0
6 0
1 0 20 0 5
1
4 0
10 0
2 0
0 0
Total Gate Charge Qg 〔nC〕
5
1 0
1 5
0 2 0
0 . 1
Inductance L 〔mH〕
0 0
Starting Channel Temperature Tch〔 ℃〕
5 0
10 0
10 5
*Sn wa e 0 z ie v は5H で測定しています。 * 5 H s ew v s s dfr a ue ns 0 z i a eiu e o me s rme t. n
www. id n e . . /rd c/ mi s n e g nc j po u t e / h op s
S E〈 0 00 〉 (MO F T 2 1 .7)
很抱歉,暂时无法提供与“F6B52HP”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货