F7F60C3M

P we MO F T o r SE FF0 3 7 6C M 60 A 0 V7 特長 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 煙絶縁タイプ ■外観図 O T IE U LN nt ： U i mm P ca e F O 2 0 a k g ： T -2 A ッ （例） ロ ト記号 Date code 管理番号 （例） Control No. 10 4.5 0000 品名略号 Type No. 7F60C3M F aue e tr 煙 L wR N oO 煙 Fs S ih g a t wt i cn s a dP c a e ot 煙 I l e akg 13.5 15 ①②③ ①: G ②:D ③: S 外形図については新電元We サイトをご参照下さい。 b 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 F rd ti fteo t edme s n ,rfrt o rw b s e sfrte o easo h ul l i i n i s ee o u e i .A o h n o t mak g rfrotes e i ai Mak g T r n l o n ci " ri ,ee t h p c i t n" ri , emi C n e t n. n fo c n a o ■定格表 項 R TN S A IG A s l eMa i m R t g（指定のない場合 bo t u x mu ai s n 記号 S mb l yo Tt sg Th c VS DS VS GS I D IP D I S P T Vi ds TR O 一括端子 ケース間， C1 ・ A 分間印加 T r n lt a e A emi s oc s , C1mi t a ne u （推奨値 03 ・ ） ： .N m (e o R c mme d dtru : .N m) n e oq e 03 ・ パルス幅 1 μs d t= /0 0 , uy 11 0 P l i h1 µ , uy 11 0 u ewd 0 s d t= /0 s t ●絶対最大定格 目 Im t e T ＝2℃） c5 規格値 R tg ai s n －5～10 55 10 5 60 0 ±3 0 7 2 1 7 3 0 2 0 . 5 A W k V Nm ・ 単位 Ui n t ℃ V 条件 C ni n o dt s i o 保存温度 Soa eT mp rtr trg e eaue チャネル温度 C a n l e eaue h n e T mp rtr ドレイン ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ゲート ソース間電圧 ・ D a - o reV l g ri S uc o a e n t ドレイン電流 （直流） C ni o s ri urn (C o t u u Da n nC r tD ) e ドレイン電流 （ピーク） C ni o s ri urn (e k o t u u Da n nC r tP a ) e ソース電流 （直流） C ni o s o reC r n (C o t u u S uc ur tD ) n e 全損失 T tl o e Dsi t n oa P w r i p i s ao 絶縁耐圧 De cr t n t ie tcSr gh li e 締め付けトルク Mo ni oq e u t gT ru n ●電気的 熱的特性 ・ 項 目 Im t e Ee tc l h rcei i （指定のない場合 l r a C aa tr t s ci sc 記号 S mb l yo V R DS I＝1 mA, G ＝0 VS V （B ） S D IS DS IS GS gs f VH T VD S θj c Q g Cs i s V f MH C s V S 2V V S＝0 ,＝1 z rs D＝ 5,G Cs os t o） dn （ I＝3 A, DD＝10 , L＝4. .V 5 5V R 2Ω 8 D 0 , G（ V t of V S ＋）＝ 1V V S －）＝0 df （ ） G（ t f t r V S 0V V S＝0 V D ＝60 , G V S ±3V V S＝0 0,D V G＝ I＝ 3 A, DS＝1V .V 5 0 D I＝ 0 5 . mA, DS＝1V 3 V 0 D I . V S＝0 ＝3 A, G 5 V S 接合部 ケース間 ・ J n t nt a e u ci oc s o T ＝ 2℃） c5 規格値 R t g ai s n MI T P MAX N Y 60 0 ─ ─ 3 ─ 2 . 1 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 6 04 . 5 3 . 0 ─ ─ 2 8 70 6 2 0 20 5 1 4 1 5 14 2 1 8 ─ 2 5 ±0 . 1 ─ 00 . 6 3 . 9 1 . 5 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ n s p F 単位 Ui n t V μA S Ω V 条件 C ni n o dt s i o ドレイン ソース間降伏電圧 ・ D a - o reBe k o nV l g ri S uc ra d w o a e n t ドレイン遮断電流 Z r aeV l g ri urn eoG t o a eD a t nC r t e ゲート漏れ電流 G t- o reL a a eC r n aeS uc e k g ur t e 順伝達コンダクタンス F r adTa s o d ca c ow r rn c n u tn e ドレイン ソース間オン抵抗 ・ Sai ri S uc nsaeR s tn e tt a - o reO -tt e i a c cD n s ゲートしきい値電圧 G t he s o o a e aeT rsh l l g dV t ソース ドレイン間ダイオード順電圧 ・ S uc - ri i eF r a eV l g o reD a nDo d ow d o a e t 熱抵抗 T ema R s tn e h r l eia c s ゲート全電荷量 T tl aeC ag oa G t h re 入力容量 I u C p cac n t a aine p t 帰還容量 R v reTa s r a a i n e e es rn f C p c a c e t 出力容量 O tu C p c a c up t a a i n e t ターンオン遅延時間 T r-nd l t uno e y i a me 上昇時間 Rs i i me et ターンオフ遅延時間 T r-fd l t unof e y i a me 下降時間 Fli at l me R S ON I＝ 3 A, G ＝1V . VS 0 5 （D ） D 4 6 ℃/ . 1 W n C V S 0 ,D＝7 V D＝40 A, D 0V G ＝1V I S E〈 0 00 〉 （MO F T 2 1 .6） www. id n e . . /rd c/ mi s n e g nc j po u t e / h op s FF0 3 7 6C M ■特性図 C A A T RS I DA R MS H R C E ITC IG A 出力特性 伝達特性 ドレイン ソース間オン抵抗─ ・ ドレイン電流 Typical Output Characteristics １ ４ ＧS=１ ０ VＧS=１ Ｖ ８ Ｖ １ ２ ６ Ｖ Transfer Characteristics Tc=25℃ TYP １ ４ １ ２ Ｔ =− ５ ｃ ５℃ ２℃ ５  ０℃ １０ Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕 １ ０ ５ VGS＝10V Tc＝ ５℃ ２ TYP Pulse measurement Pulse measurement Drain Current ID 〔A〕 Drain Current ID 〔A〕 １ ０ ８ ６ ４ ２ ０ ０ ５ １ ０ １ ５ １ ０ ８ ６ ４ ２  ５℃ １０ ２ １ ０ ． ５ VＧS=５ ＧS=５ Ｖ VＧS=４ ＧS Ｖ ２ ０ ２ ５ VDS=20V TYP Pulse measurement ５ １ ０ １ ５ ２ ０ ０ ． ２ ０ ． １ １ Drain Source Voltage VDS 〔V〕 ０ ０ Gate Source Voltage VGS 〔V〕 Drain Current ID 〔A〕 ２ ５ １ ０ １ ４ ドレイン ソース間オン抵抗─ケース温度 ・ ゲー し ト きい値電圧─ケース温度 安全動作領域 Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Static Drain-Source On-static Resistance RDS（ON） 〔Ω〕 １ ０ Pulse measurement Gate Threshold Voltage vs Case Temperature ５ Pulse measurement Safe Operating Area ５ ０ ２ １ １ ４ １ ０ ７ （on） RDS on） Restricted space Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 ４ １ ID=３．A =３． ５ Drain Current ID 〔A〕 10μs 100μs 200μs 1ms ３ １ ２ ０ ． １ ０ ． １ 10ms DC １ VDS＝ ０V １ ID=０ ５mA ． ３ TYP −５ ５ ０１ ． ０ −５ ５ Case Ｔemperature Tc 〔℃〕 ０ ５ ０ VGS＝10V Pulse test TYP １０ ０ １０ ５ ０ Case Temperature Tc 〔℃〕 ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ Tc＝ ５℃ ２ Single pulse ０１ ． ０ ０ Drain Source Voltage VDS 〔V〕 １ ０ １０ ０ ６０ ０ 過渡熱抵抗 キャパシタンス特性 全損失減少率─ケース温度 Transient Thermal Impedance １ ０ Capacitance Characteristics １００ ００ Power Derating - Case Temperature １０ ０ Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕 θjc θjc １ Power Derating 〔%〕 １０ ００ Ｃｓ ｉｓ ８ ０ ６ ０ １０ ０ Ｃo ｓ ｓ ４ ０ ０ ． １ １ ０ f＝ １MHz Tc＝ ５℃ ２ TYP １ ０ ２ ０ Ｃr ｓ ｓ ２ ０ ０ １ -５ -４ ． ０ １１ ００ １ -３ ０ １ -２ ０ Time t 〔s〕 １ -１ ０ １０ ０ １１ ０ １２ ０ １３ ０ Drain Source Voltage VDS 〔Ｖ〕 ４ ０ ６ ０ ８ ０ １０ ０ ０ ０ ２ ５ Case Temperature Tc〔℃〕 ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １０ ５ ゲー トチャージ特性 Gate Charge Characteristics ５０ ０ ID=７A TYP ２ ０ Drain Source Voltage VDS 〔V〕 ４０ ０ １ ５ ３０ ０ VDD=２ ４ =２ Ｖ ２ １２ １Ｖ ５Ｖ ６ VＧS ＧS １ ０ ２０ ０ ５ １０ ０ ０ ０ １ ０ Total Gate Charge Qg 〔nC〕 ２ ０ ３ ０ ４ ０ ０ ５ ０ Gate Source Voltage VGS 〔V〕 VDS ＊ Sn wa e 0 z ie v は5H で測定しています。 ＊ 5 H s ew v s s dfr a ue ns 0 z i a eiu e o me s rme t. n www. id n e . . /rd c/ mi s n e g nc j po u t e / h op s S E〈 0 00 〉 （MO F T 2 1 .6）