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K1V12

K1V12

  • 厂商:

    SHINDENGEN(新电元)

  • 封装:

  • 描述:

    K1V12 - SIDAC - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

  • 数据手册
  • 价格&库存
K1V12 数据手册
Package : AX10 φ 0 0.0 1± 5 . ●捺印面展開図 Marking 品名略号 (例) Type No. φ 4 0.2 4 +1 . −. 0 [Unit : mm] KIV 69 ロ ト記号 ッ (例) Date code 25 2 6± . + 7 0.5 − .1 0 25 2 6± . K1V10 KIV : K1V11 KE : K1V12 KF : オン電圧-オン電流 電力損失曲線 過渡熱抵抗 Transient Thermal Resistance θja t) jl 〔℃/W〕 ( θ(t) , On-state Voltage vs On-state Current Instantaneous On-state Current IT〔A〕 5 Power Dissipation 1 . 6 1 . 4 Tj=15 2℃ Sine wave Conduction angle 1 0 8° Transient Thermal Resistance 50 0 Mounted on P.C.B. 2 mm 0 θja l θj l Power Dissipation P〔W〕 10 0 2 Tl = 2 ℃ 15 (TYP) Tl = 2 ℃ 5 (TYP) 1 1 . 2 1 0 . 8 0 . 6 0 . 4 0 . 2 Soldering land 3 mmφ 2 1 mm 1 l= ∼ 5 0 1 0 . 5 0 . 1 01 . 0 0 . 1 1 1 0 10 0 10 00 Pulse measurement 0 . 2 0 . 6 0 . 8 1 1 . 2 1 . 4 1 . 6 1 . 8 2 0 0 0 . 2 0 . 4 0 . 6 0 . 8 1 1 . 2 1 . 4 03 . 0 0 01 0 0 .0 .1 0 0 Instantaneous On-state Voltage VT〔V〕 On-state Current IT r.m.s.) A〕 ( 〔 Time t〔sec.〕 I H -Tj 特性 Holding Current Ratio of IH Tj℃) H 2 ℃) ( /I ( 5 VBO - Tj 特性 最大リー ド温度 Holding Current vs Junction Temperature 2 . 5 TYP Pulse measurement 2 Breakover Voltage vs Junction Temperature Breakover Voltage Ratio of VBO Tj℃) BO 2 ℃) ( /V ( 5 1 . 1 Max. Lead Temperature 1 . 4 On-state Current IT r.m.s) ( 〔A〕 15 . 0 1 . 2 1 0 . 8 0 . 6 0 . 4 0 . 2 0 4 0 Tj=15 2℃ Sine wave Conduction angle 1 0 8° 1 1 5 . 05 . 9 1 0 . 9 0 5 . 05 . 8 TYP Pulse measurement Peak hold method 0 2 0 4 0 6 0 8 0 10 0 10 2 0 −0 −0 42 0 2 0 4 0 6 0 8 0 10 0 10 2 0 . 8 − 0− 0 42 6 0 8 0 10 0 10 2 10 4 Junction Temperature Tj〔℃〕 Junction Temperature Tj〔℃〕 Allowable Lead Temperature Tl〔℃〕 サージオン電流 せん頭パルス電流 せん頭パルス電流ディ レーティ ング Pulse On-State Current Ratio I( T) IP〔 5 P / 2 ℃〕 Surge On-state Current(ITSM) 2 5 Pulse On-state Current Rating(ITRM) Pulse On-state Current (peak value)IP〔A〕 10 00 50 0 0 20 0 10 0 5 0 2 0 f= kHz 1 1 0 5 2 1 1 2 5 1 0 2 0 5 0 10 0 20 0 f= kHz 5 f= ∼ 2 Hz 1 10 diT/dt limit line Current wave form IP to 1 /f Ta= 5 2℃ Free in air Sine wave Pulse On-state Current Derating(ITRM) 1 . 2 Current wave form IP 1 0 to 1 /f 0 . 8 Free in air Sine wave Surge On-state Current ITSM〔A〕 2 0 Non repetitive Sine wave 5 Hz 0 Conduction angle 1 0 8° Free in air Tj= 5 2℃ 1 5 0 . 6 1 0 f = ∼ 2 Hz 1 10 f= ∼ kHz 15 0 . 4 5 0 . 2 0 1 2 5 1 0 2 0 5 0 10 0 0 0 2 0 4 0 6 0 8 0 10 0 10 2 10 4 Number of Cycles Pulse Base Width to〔μs〕 Allowable Ambient Temperature Ta〔℃〕 最大周囲温度 Maximum Ambient Temperature 1 . 4 Mounted on P.C.B. On-state Current IT r.m.s) ( 〔A〕 20mm 1 . 2 l 1 0 . 8 0 . 6 0 . 4 0 . 2 0 0 Soldering land 3 mmφ l= ∼ 5 2 1 mm 2 0 4 0 6 0 8 0 10 0 10 2 10 4 Allowable Ambient Temperature Ta〔℃〕
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