LL25XB60

ブリッジダイオード Bridge Diode 低VF・低ノイズタイプ シングルインライン型 Low VF・ Low Noise type Single In-line Package ■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS Package：5S LL25XB60 600V 25A 特長 ●薄型SIPパッケージ ●低ノイズ・低VF ●大電流容量 ●UL E142422 ●高放熱伝導性 品名 Type No. C3 Unit : mm Weight：7.1g （typ.） 管理番号 （例） Control No. ロット記号 （例） Date code 4.6±0.2 3.6±0.2 φ3.2−0.1 ＋0.2 30±0.3 LL25XB60  0264 20±0.3 11±0.2 ＋ ∼∼ − ① ②③ ④ 2.5±0.2 + ∼ ∼ − 5 2.2±0.2 1.0±0.1 17.5±0.5 4±0.2 2.7±0.2 Feature ●Thin-SIP ●Low Noise・Low VF ●Large Io ●UL E142422 ●High Thermal Radiation 10±0.2 ±0.2 ±0.2 0.7±0.1 7.5 7.5 ① ② ③ ④ Unit : mm （製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください） ■定格表 R ATINGS 項目 Item 記号 条件 Symbol Conditions Tstg Tj VRM IO IFSM IFSM1 I2t Vdis TOR 50Hz 正弦波，抵抗負荷 50Hz sine wave, Resistance load フィン付き With heatsink Tc=113℃ Ta=25℃ ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合は Tc = 25℃／unless otherwise specified ） 品名 Type No.   LL25XB60 −55∼150 150 600 25 3.6 300 945 450 2.5 0.8 単位 Unit ℃ ℃ V A 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time 絶縁耐圧 Dielectric Strength 締め付けトルク Mounting Torque フィンなし Without heatsink 50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃ 50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃ tp=1ms 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃ tp=1ms sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃ 1ms≦ t＜ 10ms Tj= 25℃ 一素子当たりの規格値 per diode A A2s kV N・m 一括端子・ケース間，AC１分間印加 Terminals to Case, AC 1 minute （推奨値：0.5 N m） ・ （Recommended torque : 0.5 N m） ・ ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合は Tc = 25℃／unless otherwise specified ） 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 逆回復時間 Reverse Recovery Time VF IR trr θjc IF =12.5A, VR =600V, パルス測定，一素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode パルス測定，一素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode 一素子当たりの規格値 per diode TYP 0.87 MAX MAX MAX MAX MAX MAX 0.92 V μA μs 10 3.0 0.8 5.0 25 1F=0.1A, IR=0.1A, 接合部・ケース間，フィン付き Junction to Case, With heatsink 接合部・リード間，フィンなし Junction to Lead, Without heatsink 接合部・ 周囲間，フィンなし Junction to Ambient, Without heatsink 熱抵抗 Thermal Resistance θjl θja ℃/W 112 （J 514 - 6） www.shindengen.co.jp/product/semi/ LL25XB60 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage 100 50 Tc=150℃ 〔MAX〕 Tc=150℃ 〔TYP〕 Tc=25℃ 〔MAX〕 Tc=25℃ 〔TYP〕 Forward Power Dissipation 50 Peak Surge Forward Current Capability 300 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 40 30 Peak Surge Forward Current IFSM 〔A〕 Forward Power Dissipation PF 〔W〕 Forward Current IF 〔A〕 250 200 150 sine wave 0 100 IFSM 10ms 10ms 20 10 〔 0.2 0.4 0.6 0.8 Pulse measurement per diode 1 1.2 1.4 〔 1.6 〔 0 0 5 10 15 sine wave Tj＝150℃ 20 〔 25 50 〔 1cycle non-repetitive Tj＝25℃ 2 5 〔 10 20 50 100 0 1 Forward VoltageVF 〔V〕 Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 Number of Cycles せん頭サージ順電流耐量 Peak Surge Forward Current Capability Peak Surge Forward Current IFSM1〔A〕 1000 Tj＝25℃ Tj＝150℃ ディ レーティ ングカーブ Ta−Io Derating Curve Ta−Io Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 ディ レーティ ングカーブ TcーIo Derating Curve TcーIo Average Rectified Forward Current IO〔A〕 30 〔 V ＝V 〕 R RM 〔 V ＝V 〕 R RM 25 20 Tc heatsink Tc-sensing point 100 15 10 tp 〔 0 1 non-repetitive sine wave 2 〔 5 10 〔 0 sine wave R - load free in air 20 40 〔 60 80 100 120 140 160 5 〔 0 sine wave R - load with heatsink 20 40 〔 60 80 100 120 140 160 0 Pulse Width tp〔ms〕 Ambient Temperature Ta ℃〕 〔 Case Temperature Tc ℃〕 〔 ・Sine waveは50Hzで測定しています。 ・50Hz sine wave is used for measurements. ・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。 ・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability. www.shindengen.co.jp/product/semi/ （J 514 - 6） 113