M2F60

一般整流ダイオード Rectifier Diode 面実装デバイス 単体型 Surface Mounting Device Single Diode ■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS Package：M2F M2F60 600V 1.2A 特長 ●耐湿性に優れ高信頼 ●自動実装対応 Unit : mm Weight：0.072g （typ.） 品名略号 Type No. ロッ ト記号 （例） Date code 4.4±0.3 ソルダーリングパッドの参考パターン Soldering pad 2.0±0.1 3.75±0.3 ① ② カソー ドマーク Cathode mark 管理番号 （例） Control No. Feature ●High-Reliability ●for Auto-Mount ① ② 5.1±0.3 1.45 2.0 MAX 1.0±0.3 1.0±0.3 （製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください） ■定格表 R ATINGS 項目 Item 記号 条件 Symbol Conditions Tstg Tj VRM IO IFSM It 2 ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合は Tl = 25℃／unless otherwise specified ） 品名 Type No.   0.1±0.1 M2F60 −55∼150 150 600 単位 Unit ℃ ℃ V A A A2s 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time 50Hz 正弦波，抵抗負荷， 50Hz sine wave, Resistance load プリント基板実装 Ta=55℃ On glass-epoxy substrate アルミナ基板実装 Ta=51℃ On alumina substrate 0.9 1.2 50 7.4 50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃ 1ms≦ t＜ 10ms Tj= 25℃ ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合は Tl = 25℃／unless otherwise specified ） 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current VF IR θjl IF =1.2A, VR =600V, パルス測定 Pulse measurement パルス測定 Pulse measurement MAX MAX MAX MAX MAX 0.97 10 33 90 120 V μA 接合部・ケース間 Junction to Case 接合部・周囲間，アルミナ基板実装 Junction to Ambient, On alumina substrate 接合部・周囲間，プリント基板実装 Junction to Ambient, On glass-epoxy substrate 熱抵抗 Thermal Resistance θja θja ℃/W 198 （J 514 - 6） www.shindengen.co.jp/product/semi/ （2.29） V6 196 （ 1.78） （2.29） （1.78） M2F60 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage 10 Forward Power Dissipation 1.4 Peak Surge Forward Current Capability 50 Forward Power Dissipation PF 〔W〕 Forward Current IF 〔A〕 5 Tl =150℃ 〔TYP〕 Tl =25℃ 〔TYP〕 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 〔 sine wave Tj＝150℃ 〔 Peak Surge Forward Current IFSM 〔A〕 40 2 30 1 0.5 0 IFSM 10ms 10ms 20 sine wave 10 0.2 0.1 0 〔 0 1 1cycle non-repetitive Tj＝25℃ 2 5 〔 10 20 50 100 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 Forward Voltage VF 〔V〕 Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 Number of Cycles ディ レーティ ングカーブ Ta−Io Derating Curve Ta−Io Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 1.2 ディ レーティ ングカーブ TaーIo Derating Curve TaーIo Average Rectified Forward Current IO〔A〕 1.5 on alumina substrate 1 〔 sine wave R-load free in air 〔 on glass-epoxy substrate Soldering land : 2 mm conductor layer : 35μ Soldering land : 2 mm conductor layer : 20μ Substrate thickness : 0.64 t 0.8 1 0.6 0.4 0.5 0.2 〔 V ＝600V〕 R 〔 V ＝600V〕 R 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Ambient Temperature Ta ℃〕 〔 Ambient Temperature Ta 〔℃〕 ・Sine waveは50Hzで測定しています。 ・50Hz sine wave is used for measurements. ・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。 ・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability. www.shindengen.co.jp/product/semi/ （J 514 - 6） 199