S4NAD80

ツインダイオード Twin Diode 面実装デバイス アレイ型 Surface Mounting Device Diode Array ■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS Package：1NA Unit : mm Weight：0.29g （typ.） （1.5） （1.2） （8.7） 0.25±0.1 1.0±0.2 1.0±0.2 6.5±0.2 10±0.3 2.6±0.2 S1NAD80 800V 3A 特長 ●小型面実装 ●ツイン ●耐湿性に優れ高信頼 ●自動実装対応 品名略号 Type No. 極性記号 Terminal direction ④ ① クラス Class ④① AK AD 80 014N ③② ③ 3.4±0.2 管理番号 （例） Control No. 5.08±0.2 6.8±0.2 ② 0.9±0.15 ロット記号 （例） （5.1） Date code ソルダーリングパッドの参考パターン S tandard soldering pad C0.8 2.5±0.1 0.15 Feature ●Small SMD ●Twin-Di ●High-Reliability ●for Auto-Mount （製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください） ■定格表 R ATINGS 項目 Item 記号 条件 Symbol Conditions Tstg Tj VRM IO IFSM It 2 ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合は Tl = 25℃／unless otherwise specified ） 品名 Type No.   0.1±0.1 S1NAD80 −55∼150 150 800 単位 Unit ℃ ℃ V A A A2s 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time 50Hz 正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装， 50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate, Tl =102℃ Ta=31℃ 3 1.5 110 60 50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃ 1ms≦ t＜ 10ms Tj= 25℃ ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合は Tl = 25℃／unless otherwise specified ） 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 熱抵抗 Thermal Resistance VF IR θjl θja 2 IF =0.75A, VR =800V, パルス測定，一素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode パルス測定，一素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode MAX MAX MAX MAX 1.05 10 15 84 V μA ℃/W 接合部・リード間，プリント基板実装 Junction to Lead, On glass-epoxy substrate 接合部・周囲間，プリント基板実装 1 Junction to Ambient, On glass-epoxy substrate * *1：銅箔パターン101mm Area   Copper soldering pad 101mm2 162 （J 514 - 6） www.shindengen.co.jp/product/semi/ S1NAD80 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ電流耐量 Forward Voltage 10 Forward Power Dissipation 3.5 Peak Surge Forward Current Capability 150 Peak Surge Forward Current IFSM 〔A〕 Forward Power Dissipation PF 〔W〕 Forward Current IF 〔A〕 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 1 Tl =150℃ 〔TYP〕 Tl =25℃ 〔TYP〕 〔 Tj=150℃ sine wave R - load single phase rectification 〔 sine wave 0 IFSM 10ms 10ms 100 〔 1cycle non-repetitive Tj＝25℃ 〔 0.1 50 0.01 〔 0.001 0 0.5 1 Pulse measurement 〔 2 1.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 1 10 100 Forward Voltage VF 〔V〕 Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 Number of Cycles ディ レーティ ングカーブ Ta−Io Derating Curve Ta−Io Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 2 ディ レーティ ングカーブ TlーIo Derating Curve TlーIo Average Rectified Forward Current IO〔A〕 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 〔 1 sine wave R - load single phase rectification 〔 1.5 〔 sine wave R - load single phase rectification 〔 0.5 on glass-epoxy substrate Soldering land : 1.2 mm conductor layer : 35μ Pattern area : 101 mm2 on glass-epoxy substrate Soldering land : 1.2 mm conductor layer : 35μ Pattern area : 101 mm2 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Ambient Temperature Ta ℃〕 〔 Lead Temperature Tl〔℃〕 ・Sine waveは50Hzで測定しています。 ・50Hz sine wave is used for measurements. ・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。 ・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability. www.shindengen.co.jp/product/semi/ （J 514 - 6） 163