SG8SC4M

Ti wn S h t yB rir id c ot ar Do e k e ■外観図 O T IE U LN nt ： U i mm S 8C M GS4 4 V8 0A 特長 煙低 V F 煙低ノイズ 煙高速スイッチング 煙フルモールド P ca e F O 2 0 a k g ： T -2 G ッ （例） ロ ト記号 Date code 管理番号 （例） Control No. 品名略号 Type No. 極性 Polarity 10 4.5 S0000 G8SC4M 煙 L wV oF o oe s 煙 L wN i 煙 Hg e o ey p e i hR c v r S e d 煙 F l le u Mo d ld ①②③ 13.5 F aue e tr 15 ① ② ③ 外形図については新電元We サイトをご参照下さい。 b 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 F rd ti fteo t edme s n ,rfrt o rw b s e sfrte o easo h ul l i i n i s ee o u e i .A o h n o t mak g rfrotes e i ai Mak g T r n l o n ci " ri ,ee t h p c i t n" ri , emi C n e t n. n fo c n a o ■定格表 項 R TN S A IG A s l eMa i m R t g（指定のない場合 bo t u x mu ai s n 記号 S mb l yo Tt sg T j VM R VRM RS I o IS FM Vi ds TR O パルス幅0 msd t /0 . , uy14 5 P l it .ms d t 14 u ewdh05 , uy /0 s 5H 正弦波， 0z 抵抗負荷， 素子当りの出力電流平均値I/, c 5℃ 1 o2T ＝15 5 H s ew v , e i a c o d R t gfr a hdo eI/, c 1 5C 0 z i a e R s tn ela , ai o e c id o2 T = 5 ˚ n s n 5H 正弦波， 0z 非繰り返し1 サイクルせん頭値， j 5 T ＝2℃ 5 H s ew v , o - p ti 0 z i a e N nr ei e1c c e kv l , j2 ˚ n et v y l a a e T= 5C ep u 一括端子 ケース裏面間， ・ AC1 分間印加 T r n lt a e A emi s oc s , C1mi t a ne u （推奨値：0 N m） .・ 3 (e o R c mme d dtru : .N m) n e oq e 03 ・ ●絶対最大定格 目 Im t e T ＝2℃） c5 規格値 R tg ai s n －5～15 57 15 7 4 0 4 5 8 8 0 1 . 5 0 . 5 単位 Ui n t ℃ ℃ V V A A k V Nm ・ 条件 C ni n o dt s i o 保存温度 Soa eT mp rtr trg e eaue 接合部温度 O eai u ci e eaue p rt nJ n t nT mp rtr o o せん頭逆電圧 Ma i m R v reV l g x mu e es o a e t 繰り返しせん頭サージ逆電圧 R p ti e kS reR v reV l g e ei eP a ug e es o a e t v t 出力電流 A ea eR ci dF r adC r n v rg e ti ow r ur t f e e せん頭サージ順電流 P a ug ow r urn e kS reF r adC r t e 絶縁耐圧 De cr t n t ie tcSr gh li e 締め付けトルク Mo ni oq e u t gT ru n ●電気的 熱的特性 ・ 順電圧 F r adV l g ow r o a e t 逆電流 R v reC r n e es ur t e 接合容量 J n t nC p c a c u ci a a i n e o t 熱抵抗 T ema R s tn e h r l eia c s Ee tc l h rcei i （指定のない場合 l r a C aa tr t s ci sc V F I R C j θj c I＝ 4 A, F V ＝ 4V 0, R T ＝2℃） c5 MAX 0 6 . 5 T P 09 Y . 4 MAX TP Y MAX パルス測定， 素子当りの規格値 1 Pl u eme s rme tP r i e s a ue n, e do d パルス測定， 素子当りの規格値 1 Pl u eme s rme tP r i e s a ue n, e do d 1 素子当りの規格値 Pr i e e do d V mA p F ℃/ W 0 . 3 10 0 3 . 3 f MH , R＝1V ＝1 zV 0, 接合部 ケース間 ・ J n t nt a e u ci oc s o 5 3P 0 00 〉 （J 3 -〈2 1 .6） www. id n e . . /rd c/ mi s n e g nc j po u t e / h op s S 8C M GS4 ■特性図 C A A T RS I DA R MS H R C E ITC IG A 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage ４ ０ Forward Power Dissipation ８ Peak Surge Forward Current Capability Peak Surge Forward Current IFSM 〔A〕 １０ ２ １０ ０ ８ ０ ６ ０ ４ ０ ２ ０ ０ １ IFSM １ ０ms １ ０ms １cycle Non-repetitive Tj＝２ ５℃ ２ ５ １ ０ ２ ０ DC D＝０ ． ８ Sine wave Forward Power Dissipation PF 〔W〕 ７ ０ IO tp D＝tp/T ０ ． ５ SIN Forward Current IF 〔A〕 １ ０ T ６ Tj＝ ７ １ ５℃ ５ ４ ３ ２ １ ０ ０ ０ ． ２ ０ ． １ ０５ ． ０ ０ ． ３ １ Tc＝ ７ （MAX） １ ５℃ Tc＝ ７ （TYP） １ ５℃ Tc＝ ２ （MAX） ５℃ Tc＝ ２ （TYP） ５℃ Pulse measurement Per diode ０ ． １ ０ ０ ． ５ １ １ ． ５ ２ ５ １ ０ １ ５ ５ ０ １０ ０ Forward Voltage VF 〔V〕 Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 Number of Cycles 〔cycle〕 逆方向特性 逆電力損失曲線 接合容量 Reverse Current １０ ００ Reverse Power Dissipation １ ４ Junction Capacitance １００ ００ f＝ １MHz Tc＝ ５℃ ２ TYP Per diode Reverse Power Dissipation PR 〔W〕 ０ tp VR D＝tp/T DC D＝０ ５ ． ０ ０ ． １ ０ ． ２ ０ ． ３ ０ ． ５ １ ０ １ ０． １ ０． ０ １ Tc＝ ５ ℃ １ ０ （TYP） Tc＝ ２ ℃ １ ５ （TYP） Tc＝ ０ ℃ １ ０ （TYP） Tc＝ ７ ℃ ５ （TYP） Tc＝ ５ ℃ ０ （TYP） Tc＝ ２ ℃ ５ （TYP） １ ０ ８ ６ ４ ２ T Tj＝ ７ １ ５℃ Junction Capacitance Cj pF〕 〔 Reverse Current IR 〔mA〕 １０ ０ Tc＝ ７ ℃ １ ５ （TYP） １ ２ １０ ０ ０． １ ０ ０ ０． ０ ０１ ０ ０ ５ １ ０ １ ５ ２ ０ Pulse measurement Per diode ２ ５ ３ ０ ３ ５ ４ ０ SIN ０ ． ８ ０ ０ １ ０ ２ ０ ３ ０ ４ ０ １ ０ ００ ．． １２ ０ ． ５ １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ４ ０ Reverse Voltage VR 〔V〕 Reverse Voltage VR 〔V〕 Reverse Voltage VR 〔V〕 ディ レーティ ングカーブ Tc-Io Derating Curve Tc-Io Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 １ ５ DC D＝０ ． ８ １ ０ ０ ． ５ SIN ０ ． ３ ０ ． ２ ５ ０ ． １ ０５ ． ０ ０ ０ tp IO VR ２ VR＝ ０V D＝tp/T T ０ ０ ４ ０ ８ ０ １０ ２ １０ ６ Case Temperature Tc 〔℃〕 ＊Sn wa e 0 z ie v は5H で測定しています。 ＊ 5 H s ew v s s dfr a ue ns 0 z i a eiu e o me s rme t. n www. id n e . . /rd c/ mi s n e g nc j po u t e / h op s 5 3P 0 00 〉 （J 3 -〈2 1 .6）