UD3KB80

Bridge Diode シングルインライン型 Single In-line Package UD3KB80 800V 3A 特長 • 薄型 SIP パッケージ • UL E142422 • 高耐圧・高 IFSM ■外観図 OUTLINE Package：D3K Unit : mm Weight : 1.42g typ.） （ 13.8 品名略号 Type No. 管理番号 （例） Control No. 3.1 U3KB 6769 10.8 ロッ ト記号 （例） Date code ＋∼ ∼− Feature • Compact-SIP • UL E142422 • High Voltage・Large IFSM 13.2 ① ＋ ②③ ∼∼ ④ − ① ② ③ ④ 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 ■定格表 ■定格表 RATINGS 項  目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time 絶縁耐圧 Dielectric Strength 締め付けトルク Mounting Torque 記号 条 件 Symbol Conditions Tstg Tj VRM IO IFSM It Vdis TOR 2 品 名 Type No. UD3KB80 −55∼150 150 800 単位 Unit ℃ ℃ V A A A2s kV フィンなし Ta = 29℃ 60Hz 正弦波，抵抗負荷 Without heatsink 60Hz sine wave, フィン付き Resistance load Tc = 140℃ With heatsink 60Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj = 25℃ 60Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃ 3ms≦t＜8.3ms，Tj=25℃， 一素子当たりの規格値 per diode 一括端子・ケース間，AC１分間印加 Terminals to Case, AC 1 minute （推奨値：0.5 N・m） （Recommended torque : 0.5 N・m） 1.2 3.0 90 35 2.0 0.8 N・m 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current VF IR θjc θja θjl 熱抵抗 Thermal Resistance パルス測定，１素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode VR = 800V, パルス測定，１素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode 接合部・ケース間，フィン付き Junction to case, With heatsink 接合部・周囲間，フィンなし Junction to ambient, Without heatsink 接合部・リード間，フィンなし Junction to lead, Without heatsink IF = 1.5A, MAX MAX MAX MAX MAX 1.05 10 1.5 55 15 V μA ℃/W 48 （J534） Compact SIP UL Bridge ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS UD3KB80 ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。  Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ （J534） 49