- 物料型号:SIEMENS Silicon Switching Diode Array BAV 74
- 器件简介:用于高速开关,共阴极配置。
- 引脚分配:3个阳极,1个共阴极,具体引脚配置为3 EHA07004,封装为SOT-23。
- 参数特性:
- 反向电压:VR 50V
- 峰值反向电压:VRM 50V
- 正向电流:IF 200mA
- 浪涌正向电流:IFS 4.5A(1微秒)
- 总功耗:Ptot 250mW(结温Ts = 35°C)
- 结温:Tj 150°C
- 存储温度范围:Tstg 65...+150°C
- 热阻:
- 从结到环境的热阻:Rth JA 600 K/W
- 从结到焊接点的热阻:Rth Js 460 K/W
- 电气特性(在25°C环境温度下,除非另有说明):
- 击穿电压:V(BR) 当I(BR)=100mA时为50V
- 正向电压:VF 当IF=100mA时,典型值为1V
- 反向电流:在VR=50V和TA=150°C时,从1mA到100μA
- 二极管电容:Co 2pF(在VR=0V,f=1MHz时)
- 反向恢复时间:tr 4ns(在IF=10mA,IA=10mA,R=100Ω,测量在IR=1mA时)