BPW21

BPW 21 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the visible spectral range BPW 21 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm q Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ) q Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) Anwendungen q Belichtungsmesser für Tageslicht q Für Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in Features q Especially suitable for applications from 350 nm to 820 nm q Adapted to human eye sensitivity (Vλ) q Hermetically sealed metal package (similar to TO-5) Applications q Exposure meter for daylight q For artificial light of high color temperature in der Fotografie und Farbanalyse photographic fields and color analysis Typ Type BPW 21 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P885 Semiconductor Group 1 1998-11-13 fmo06011 BPW 21 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80 235 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS VR Ptot 10 250 V mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value 10 (≥ 5.5) 550 350 ... 820 Einheit Unit nA/lx nm nm S λS max λ S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle A L×B L×W H 7.34 2.73 × 2.73 mm2 mm × mm 1.9 ... 2.3 mm ϕ ± 55 Grad deg. Semiconductor Group 2 1998-11-13 BPW 21 Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d) Bezeichnung Description Dunkelstrom Dark current VR = 5 V VR = 10 mV Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 550 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, λ = 550 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 550 nm; Ip = 10 µA Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 5 V, λ = 550 nm Nachweisgrenze, VR = 5 V, λ = 550 nm Detection limit Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit IR IR Sλ η 2 (≤ 30) 8 (≤ 200) 0.34 0.80 400 (≥ 320) 10 1.5 nA pA A/W Electrons Photon mV µA µs VO ISC tr, tf VF C0 TCV TCI NEP 1.2 580 – 2.6 – 0.05 7.2 × 10– 14 V pF mV/K %/K W √Hz cm · √Hz W D* 1 × 1012 Semiconductor Group 3 1998-11-13 BPW 21 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA ) Dark current IR = f (VR) Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 5 V Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4 1998-11-13