LA3336-T

Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LS 3336, LA 3336, LO 3336 LY 3336 Besondere Merkmale q q q q q q nicht eingefärbtes, klares Gehäuse zur Einkopplung in Lichtleiter als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06710 Features q q q q q q colorless, clear package optical coupling into light pipes for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) 63 100 160 250 100 100 160 250 400 160 100 160 250 400 160 100 160 250 400 160 ... ... ... ... ... 500 200 320 500 800 Bestellnummer Ordering Code LS 3336-QT LS 3336-R LS 3336-S LS 3336-T LS 3336-RU LA 3336-RU LA 3336-S LA 3336-T LA 3336-U LA 3336-SV LO 3336-RU LO 3336-S LO 3336-T LO 3336-U LO 3336-SV LY 3336-RU LY 3336-S LY 3336-T LY 3336-U LY 3336-SV super-red colorless clear Q62703-Q3482 Q62703-Q3484 Q62703-Q3485 Q62703-Q3813 Q62703-Q3486 Q62703-Q3554 Q62703-Q3551 Q62703-Q3552 Q62703-Q3553 Q62703-Q3555 Q62703-Q3144 Q62703-Q3176 Q62703-Q3170 Q62703-Q3307 Q62703-Q3177 Q62703-Q3487 Q62703-Q3489 Q62703-Q3490 Q62703-Q3814 Q62703-Q3491 amber colorless clear ... 800 ... 320 ... 500 ... 800 ... 1250 ... 800 ... 320 ... 500 ... 800 ... 1250 ... 800 ... 320 ... 500 ... 800 ... 1250 orange colorless clear yellow colorless clear Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspanung1) Reverse voltage1) Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air 1) 1) Symbol Symbol Werte Values LS, LO, LA LY – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 + 100 30 1 20 0.2 Einheit Unit ˚C ˚C ˚C mA A Top Tstg Tj IF IFM VR Ptot 80 3 55 V mW Rth JA 500 K/W Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. Semiconductor Group 3 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Symbol Symbol LS (typ.) λpeak (typ.) (typ.) λdom (typ.) (typ.) ∆λ (typ.) 2ϕ (typ.) VF (max.) VF (typ.) IR (max.) IR TCλ TCλ (typ.) (typ.) – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K 645 LA 622 Werte Values LO 610 LY 591 nm Einheit Unit 632 615 605 587 nm 16 16 16 15 nm 50 2.0 2.6 0.01 10 50 2.0 2.6 0.01 10 50 2.0 2.6 0.01 10 50 2.0 2.6 0.01 10 Grad deg. V V µA µA Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K 0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Semiconductor Group 4 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 100 Ι rel % 80 OHL00235 Vλ 60 yellow orange amber super-red 40 20 0 400 450 500 550 600 650 nm λ 700 Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40 30 20 10 φ 0 1.0 OHL01646 50 0.8 0.6 60 0.4 70 0.2 80 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 0 Semiconductor Group 5 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25˚C 10 2 mA ΙF 5 OHL00232 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) 35 OHL00248 Ι F mA 30 25 yellow 20 15 10 1 5 10 0 10 5 5 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4 VF 0 0 20 40 60 80 C 100 ΤA Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25˚C ΙV 10 1 OHL00233 Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA Ι V (25 C) Ι V 2.0 OHL00238 Ι V (20 mA) 10 0 5 1.6 1.2 10 -1 5 superred yellow orange/amber 0.8 orange yellow amber super-red 10 -2 5 0.4 orange yellow amber super-red 10 -3 -1 10 5 10 0 5 10 1 ΙF mA 10 2 0 -20 0 20 40 60 C TA 100 Semiconductor Group 6 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C 10 1 A ΙF 5 OHL00322 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C 10 0 A 5 OHL00316 tp tp D= T ΙF T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 ΙF tp tp D= T ΙF T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 10 0 5 0.2 10 -1 5 0.5 0.1 10 -1 5 0.2 0.5 10 -2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 s 10 tp 1 2 10 -2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) Area not flat 4.8 4.4 2.54mm spacing 1.1 0.9 0.7 0.4 0.8 0.4 0.6 0.4 3.4 3.1 1.8 1.2 29.0 27.0 3.7 3.5 6.1 5.7 0.6 0.4 Cathode Approx. weight 0.15 g ø2.9 ø2.7 Cathode GEX06951 Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Kürzerer Lötspieß Short solder lead Semiconductor Group 7 1998-09-18