LGA672-N

Super SIDELED® High-Current LED LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Besondere Merkmale q Gehäusefarbe: weiß q als optischer Indikator einsetzbar q besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch q q q q Features q color of package: white q for use as optical indicator q appropriate for high ambient light because of the higher q q q q operating current (≤ 50 mA DC) for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and reflow soldering methods available taped on reel (12 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 1998-11-12 VPL06880 erhöhten Betriebsstrom (≤ 50 mA DC) zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet gegurtet (12-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Typ Emissionsfarbe Color of Emission Type Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area colorless clear Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 50 mA IV (mcd) 10 25 40 25 10 25 40 25 10 25 40 16 10 25 40 16 ... 80 ... 50 ... 80 ... 200 ... 80 ... 50 ... 80 ... 200 ... 50 ... 50 ... 80 ... 125 ... 80 ... 50 ... 80 ... 125 50 20 32 50 80 Luminous Flux IF = 50 mA ΦV (mlm) 100 (typ.) 180 (typ.) 100 (typ.) 180 (typ.) 100 (typ.) 180 (typ.) 100 (typ.) 180 (typ.) 45 (typ.) 75 (typ.) 100 (typ.) - Ordering Code s s s s s s s s s s s s LS A672-LP LS A672-N LS A672-P LS A672-NR LO A672-LP LO A672-N LO A672-P LO A672-NR LY A672-LN LY A672-N LY A672-P LY A672-MQ LG A672-LP LG A672-N LG A672-P LG A672-MQ LP A672-KN LP A672-L LP A672-M LP A672-N LP A672-LP super-red Q62703-Q2761 Q62703-Q2849 Q62703-Q3226 Q62703-Q2850 Q62703-Q2548 Q62703-Q2851 Q62703-Q2852 Q62703-Q2853 Q62703-Q2553 Q62703-Q2854 Q62703-Q2855 Q62703-Q2856 Q62703-Q2544 Q62703-Q2857 Q62703-Q2858 Q62703-Q2859 Q62703-Q2860 Q62703-Q3838 Q62703-Q3839 Q62703-Q3148 Q62703-Q2863 orange colorless clear yellow colorless clear green colorless clear pure green colorless clear 6.3 ... 10 ... 16 ... 25 ... 10 ... s Nicht für Neuentwicklungen / Not for new design Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße je ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (padsize ≥ 16 mm2 each ) *) PC-board: FR4 Symbol Symbol Werte Values – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 + 100 50 1 Einheit Unit ˚C ˚C ˚C mA A Top Tstg Tj IF IFM VR Ptot Rth JA 5 190 330 V mW K/W Semiconductor Group 3 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 50 mA Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω *) VF max = 3.2 V as of Febr. 97 (typ.) (max.) (typ.) (max.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) Symbol Symbol LS LO 610 Werte Values LY 586 LG 565 LP 557 nm 635 Einheit Unit λpeak λdom 628 605 590 570 560 nm ∆λ 45 40 45 25 22 nm 2ϕ 120 2.0 3.8 120 2.1 3.8 120 2.2 3.8 120 2.6 3.8 120 deg. VF VF IR IR C0 2.6 V 3.8*) V 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 µA 40 35 35 60 80 pF (typ.) (typ.) tr tf 350 200 500 250 350 200 500 250 500 250 ns ns Semiconductor Group 4 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative Spectral Emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 100 % Ι rel 80 OHL01698 Vλ 60 red pure-green green orange 20 0 400 blue 450 500 550 yellow 40 600 super-red 650 hyper-red nm 700 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHL01660 ϕ 1.0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 0 Semiconductor Group 5 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 6 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA 690 OHL02104 Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominat wavelength IF = 10 mA 690 OHL02105 λ peak nm 650 super-red 630 orange 610 590 570 550 yellow λ dom nm 650 630 610 590 570 550 super-red orange yellow green pure-green 0 20 40 60 80 ˚C 100 green pure-green 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA TA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 50 mA Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 50 mA Semiconductor Group 7 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) (2.4) 2.8 2.4 4.2 3.8 0.7 Cathode Cathode marking 2.54 spacing (1.4) 1.1 0.9 Anode (0.3) (2.85) (2.9) (R1) 3.8 3.4 4.2 3.8 Kathodenkennung: Cathode mark: abgeschrägte Ecke bevelled edge Semiconductor Group 8 1998-11-12 GPL06880