LGA679

LC SIDELED® Low Current LED LS A679, LY A679, LG A679 Besondere Merkmale q q q q q Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet gegurtet (12-mm-Filmgurt) q q q q q color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and reflow soldering methods available taped on reel (12 mm tape) Typ Emissionsfarbe Color of Emission Type Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area colorless clear colorless clear colorless clear Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 2 mA IV(mcd) ≥ 0.25 (1.0 typ.) ≥ 0.25 (1.0 typ.) ≥ 0.25 (1.0 typ.) Luminous Flux IF = 2 mA ΦV (mlm) 3.0 (typ.) 3.0 (typ.) 3.0 (typ.) Ordering Code LS A679-CO LY A679-CO LG A679-CO super-red yellow green Q62703-Q2551 Q62703-Q2554 Q62703-Q2545 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 1998-11-12 VPL06880 Features LS A679, LY A679, LG A679 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation Symbol Werte Symbol Values Einheit Unit ˚C ˚C ˚C mA A Top Tstg Tj IF IFM – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 + 100 7.5 0.15 VR Ptot 5 20 500 V mW K/W Wärmewiderstand Rth JA Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-Board (Padgröße ≥ 16 mm 2) mounted on PC board (pad size ≥ 16 mm 2) Semiconductor Group 2 1998-11-12 LS A679, LY A679, LG A679 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) Wavelength at peak emission (typ.) IF = 7.5 mA Dominantwellenlänge (typ.) Dominant wavelength (typ.) IF = 7.5 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.) IF = 7.5 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaßspannung (typ.) Forward voltage (max.) IF = 2 mA Sperrstrom (typ.) Reverse current (max.) VR = 5 V Kapazität (typ.) Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % (typ.) IV from 90 % to 10 % (typ.) IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω Symbol Symbol LS λpeak 635 Werte Values LY 586 LG 565 nm Einheit Unit λdom 628 590 570 nm ∆λ 45 45 25 nm 2ϕ 120 1.8 2.6 0.01 10 3 120 2.0 2.7 0.01 10 3 120 1.9 2.6 0.01 10 15 Grad deg. V V µA µA pF VF VF IR IR C0 tr tf 200 150 200 150 450 200 ns ns Semiconductor Group 3 1998-11-12 LS A679, LY A679, LG A679 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 7.5 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 100 % Ι rel 80 OHL01698 Vλ 60 pure-green green orange super-red red 20 0 400 450 500 550 yellow 40 600 650 hyper-red blue nm 700 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHL01660 ϕ 1.0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 0 Semiconductor Group 4 1998-11-12 LS A679, LY A679, LG A679 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C 10 2 OHL01208 Relative Lichtstärke IV / IV(2 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C 10 1 ΙV Ι V(2mA) 10 0 OHL01207 Ι F mA 10 1 5 super-red green yellow 5 10 -1 5 green yellow super-red 10 0 5 10 -2 5 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4 VF 10 -3 10 -1 5 10 0 5 10 1 mA 10 ΙF 2 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C 10 3 OHL01278 Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA) Max. permissible forward current 8 OHL01193 Ι F mA tP t D= P T D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 ΙF T ΙF mA 6 5 4 3 10 2 5 10 1 5 DC 2 1 10 0 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s 10 1 tp 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Semiconductor Group 5 1998-11-12 LS A679, LY A679, LG A679 Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 7.5 mA 690 λ peak nm 650 super-red 630 610 590 570 550 yellow OHL01672 Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 7.5 mA 690 λ dom nm 650 630 610 590 570 550 yellow green super-red OHL01673 green 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 2 mA 2.4 OHL01750 Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 2 mA 2.0 ΙV Ι V(25 ˚C) 1.6 OHL01675 VF V 2.2 2.0 yellow green 1.8 super-red 1.2 yellow green 0.8 super-red 1.6 0.4 1.4 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 0.0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Semiconductor Group 6 1998-11-12 LS A679, LY A679, LG A679 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) (2.4) 2.8 2.4 4.2 3.8 0.7 Cathode Cathode marking 2.54 spacing (1.4) 1.1 0.9 Anode (0.3) (2.85) (2.9) (R1) 3.8 3.4 4.2 3.8 Kathodenkennung: Cathode mark: abgeschrägte Ecke bevelled edge Semiconductor Group 7 1998-11-12 GPL06880