LO3360-JM

3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Besondere Merkmale q q q q q eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06710 Features q q q q q colored, diffused package for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 0.4 … 1.0 … 1.6 … 1.0 … 3.2 2.0 3.2 8.0 Bestellnummer Ordering Code LR 3360-DG LR 3360-F LR 3360-G LR 3360-FJ LS 3360-HL LS 3360-K LS 3360-L LS 3360-KN LO 3360-HL LO 3360-K LO 3360-L LO 3360-JM LY 3360-HL LY 3360-K LY 3360-L LY 3360-KN LG 3360-HL LG 3360-J LG 3360-K LG 3360-L LG 3360-KN LP 3360-GK LP 3360-H LP 3360-J LP 3360-HL red red diffused Q62703-Q1316 Q62703-Q1317 Q62703-Q1318 Q62703-Q1319 Q62703-Q1320 Q62703-Q1321 Q62703-Q1322 Q62703-Q1323 Q62703-Q1887 Q62703-Q2400 Q62703-Q2596 Q62703-Q2410 Q62703-Q1324 Q62703-Q1325 Q62703-Q1326 Q62703-Q1998 Q62703-Q3818 Q62703-Q1865 Q62703-Q2008 Q62703-Q3507 Q62703-Q3819 Q62703-Q2467 Q62703-Q2914 Q62703-Q2915 Q62703-Q3213 super-red red diffused 2.5 … 20.0 6.3 … 12.5 10.0 … 20.0 6.3 … 50.0 2.5 ... 20.0 6.3 ... 12.5 10.0 ... 20.0 4.0 ... 32.0 2.5 ... 20.0 6.3 ... 12.5 10.0 ... 20.0 6.3 ... 50.0 2.5 ... 20.0 4.0 ... 8.0 6.3 ... 12.5 10.0 ... 20.0 6.3 ... 50.0 1.6 ... 12.5 2.5 ... 5.0 4.0 ... 8.0 2.5 ... 20.0 orange orange diffused yellow yellow diffused green green diffused pure green green diffused Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Symbol Symbol Werte Values LS, LO, LY, LG LR LP °C °C °C 30 mA A – 55 … + 100 – 55 … + 100 + 100 40 45 0.5 Einheit Unit Top Tstg Tj IF IFM VR Ptot 140 5 100 100 V mW Rth JA 400 K/W Semiconductor Group 3 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol LR Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.) λpeak Wavelength at peak emission(typ.) IF = 20 mA Dominantwellenlänge(typ.) Dominant wavelength(typ.) IF = 20 mA 660 LS 635 Werte Values LO 610 LY 586 LG 565 LP 557 nm Einheit Unit λdom 645 628 605 590 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.) IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaßspannung(typ.) Forward voltage(max.) IF = 10 mA Sperrstrom(typ.) Reverse current(max.) VR = 5 V Kapazität(typ.) Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 %(typ.) IV from 90 % to 10 %(typ.) IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω 2ϕ 35 45 40 45 25 22 nm 70 1.6 2.0 70 2.0 2.6 70 2.0 2.6 70 2.0 2.6 70 2.0 2.6 70 2.0 2.6 Grad deg. V V VF VF IR IR C0 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 10 µA 25 12 8 10 15 15 pF tr tf 120 50 300 150 300 150 300 150 450 200 450 200 ns ns Semiconductor Group 4 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 100 % Ι rel 80 OHL01698 Vλ 60 red pure-green green orange 20 0 400 blue 450 500 550 yellow 40 600 super-red 650 hyper-red nm 700 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C 10 1 ΙV Ι V (10 mA) 10 0 5 OHL02146 10 -1 5 green red yellow super-red orange pure-green -1 10 -2 5 10 -3 10 5 10 0 5 10 1 mA 10 2 ΙF Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C LS, LO, LY, LG Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C LR Semiconductor Group 6 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C LP 10 3 OHL01686 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) ΙF mA tP D= tP T T ΙF D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 10 2 0.2 5 0.5 DC 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA 10 0 s 10 1 tp Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Semiconductor Group 7 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) Area not flat 0.6 0.4 0.7 0.4 0.8 0.4 4.8 4.4 2.7 2.1 3.4 3.1 2.54 mm spacing 1.1 0.9 1.8 1.2 29.0 27.0 3.7 3.5 6.1 5.7 0.6 0.4 Collector/ Cathode Chip position GEX06710 Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Kürzerer Lötspieß Short solder lead Semiconductor Group 8 ø2.9 ø2.7 1998-07-13