3 mm (T1 3/4 ) LED, Diffused Wide-Angle LED
LS 3380, LY 3380, LG 3380
Besondere Merkmale
q q q q q
eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06710
Features
q q q q q
colored, diffused package for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ Type
Emissionsfarbe Color of Emission
Gehäusefarbe Color of Package
Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 1.6 2.5 4.0 6.3 2.5 1.6 2.5 4.0 6.3 2.5 1.6 4.0 6.3 4.0 … 12.5 … 5.0 … 8.0 … 12.5 … 20.0 … 12.5 … 5.0 … 8.0 … 12.5 … 20.0 … 12.5 … 8.0 … 12.5 … 20.0
Bestellnummer Ordering Code
LS 3380-GK LS 3380-H LS 3380-J LS 3380-K LS 3380-HL LY 3380-GK LY 3380-H LY 3380-J LY 3380-K LY 3380-HL LG 3380-GK LG 3380-J LG 3380-K LG 3380-JL
super-red
red diffused
Q62703-Q2629 Q62703-Q1726 Q62703-Q1349 Q62703-Q3824 Q62703-Q2630 Q62703-Q1352 Q62703-Q1353 Q62703-Q1354 Q62703-Q2317 Q62703-Q1355 Q62703-Q1356 Q62703-Q2318 Q62703-Q2631 Q62703-Q3910
yellow
yellow diffused
green
green diffused
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
1998-07-13
LS 3380, LY 3380, LG 3380
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Symbol Symbol Werte Values – 55 … + 100 – 55 … + 100 + 100 40 0.5 Einheit Unit °C °C °C mA A
Top Tstg Tj IF IFM
VR Ptot
5 140
V mW
Rth JA
400
K/W
Semiconductor Group
2
1998-07-13
LS 3380, LY 3380, LG 3380
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.) Wavelength at peak emission(typ.) IF = 20 mA Dominantwellenlänge(typ.) Dominant wavelength(typ.) IF = 20 mA Symbol Symbol LS λpeak 635 Werte Values LY 586 LG 565 nm Einheit Unit
λdom
628
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.) IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaßspannung(typ.) Forward voltage(max.) IF = 10 mA Sperrstrom(typ.) Reverse current(max.) VR = 5 V Kapazität(typ.) Capacitance VR = 0 V, ƒ = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 %(typ.) IV from 90 % to 10 %(typ.) IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω 2ϕ
45
45
25
nm
100 2.0 2.6 0.01 10 12
100 2.0 2.6 0.01 10 10
100 2.0 2.6 0.01 10 15
deg. V V µA µA pF
VF VF IR IR C0
tr tf
300 150
300 150
450 200
ns ns
Semiconductor Group
3
1998-07-13
LS 3380, LY 3380, LG 3380
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
1998-07-13
LS 3380, LY 3380, LG 3380
Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C
10 2
OHL01263
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C
10 1 ΙV Ι V(10mA) 10 0
OHL01632
Ι F mA
10 1 5
5
10 -1 5 10 0 5 10 -2 5 green yellow super-red
10 -1 1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0 V 3.4 VF
10 -3 10
-1
5 10
0
5
10
1
mA 10 ΙF
2
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
1998-07-13
LS 3380, LY 3380, LG 3380
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA
690 λ peak nm 650 super-red 630 610 590 570 550 yellow
OHL01672
Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA
690 λ dom nm 650 630 610 590 570 550 yellow green super-red
OHL01673
green
0
20
40
60
80 ˚C 100 TA
0
20
40
60
80 ˚C 100 TA
Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA
2.4
OHL01674
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA
2.0 ΙV Ι V(25 ˚C) 1.6
OHL01675
VF
V 2.2
2.0
green super-red, yellow
1.2
yellow green
1.8
0.8
super-red
1.6
0.4
1.4
0
20
40
60
80 ˚C 100 TA
0.0
0
20
40
60
80 ˚C 100 TA
Semiconductor Group
6
1998-07-13
LS 3380, LY 3380, LG 3380
Maßzeichnung Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Area not flat
0.6 0.4 0.7 0.4 0.8 0.4
4.8 4.4 2.7 2.1 3.4 3.1
2.54 mm spacing
1.1 0.9
1.8 1.2 29.0 27.0
3.7 3.5 6.1 5.7
0.6 0.4
Collector/ Cathode
Chip position
GEX06710
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß Cathode mark: Short solder lead
Semiconductor Group
7
ø2.9 ø2.7
1998-07-13
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