LSM676

Hyper Mini TOPLED® Hyper-Bright LED LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Besondere Merkmale q q q q q Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) VPL06927 Features q q q q q color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) Semiconductor Group 1 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area colorless clear Lichtstärke Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) 16 25 40 63 25 25 40 63 100 40 25 40 63 100 40 25 40 63 100 40 Lichtstrom Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) Bestellnummer Ordering Code LS M676-MQ super-red LS M676-N LS M676-P LS M676-Q LS M676-NR LA M676-NR LA M676-P LA M676-Q LA M676-R LA M676-PS LO M676-NR LO M676-P LO M676-Q LO M676-R LO M676-PS LY M676-NR LY M676-P LY M676-Q LY M676-R LY M676-PS amber ... 125 ... 50 100 (typ.) ... 80 180 (typ.) ... 125 300 (typ.) ... 200 ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 200 80 125 200 320 200 80 125 200 320 200 80 125 200 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) - Q62703-Q3285 Q62703-Q3288 Q62703-Q3286 Q62703-Q3287 Q62703-Q3289 Q62703-Q3536 Q62703-Q3537 Q62703-Q3538 Q62703-Q3539 Q62703-Q3540 Q62703-Q3290 Q62703-Q3291 Q62703-Q3292 Q62703-Q3293 Q62703-Q3294 Q62703-Q3295 Q62703-Q3296 Q62703-Q3297 Q62703-Q3298 Q62703-Q3299 colorless clear orange colorless clear yellow colorless clear Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung1) Reverse voltage1) Verlustleistung Power dissipation Symbol Symbol Werte Values LS, LA, LO LY – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 + 100 30 20 to be defined Einheit Unit ˚C ˚C ˚C mA A Top Tstg Tj IF IFM VR Ptot 802) 5802) 3 552) 500 V mW K/W Wärmewiderstand Rth JA Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) 1) 1) 2) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. vorläufig/preliminary *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 3 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Symbol Symbol LS (typ.) λpeak (typ.) (typ.) λdom (typ.) (typ.) ∆λ (typ.) 2ϕ (typ.) VF (max.) VF (typ.) IR (max.) IR TCλ TCλ (typ.) (typ.) – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K 645 LA 622 Werte Values LO 610 LY 591 nm Einheit Unit 632 615 605 587 nm 16 16 16 15 nm 120 2.0 2.6 0.01 10 120 2.0 2.6 0.01 10 120 2.0 2.6 0.01 10 120 2.0 2.6 0.01 10 Grad deg. V V µA µA Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K 0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Semiconductor Group 4 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 100 Ι rel % 80 OHL00235 Vλ 60 yellow orange amber super-red 40 20 0 400 450 500 550 600 650 nm λ 700 Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHL01660 ϕ 1.0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 0 Semiconductor Group 5 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C 10 2 mA ΙF 5 OHL00232 Relative Lichtstärke IV / IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C ΙV 10 1 OHL00233 Ι V (20 mA) 10 0 10 1 5 5 10 -1 5 10 0 5 10 -2 5 superred yellow orange/amber 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4 VF 10 -3 -1 10 5 10 0 5 10 1 ΙF mA 10 2 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) 35 OHL00248 Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA Ι V 2.0 OHL00238 Ι F mA 30 25 yellow 20 15 10 Ι V (25 C) 1.6 1.2 orange yellow amber super-red 0.8 orange yellow amber super-red 0.4 5 0 0 -20 0 20 40 60 80 C 100 TA 0 20 40 60 C TA 100 Semiconductor Group 6 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 1.0 0.8 0.15 0.05 1.4 1.2 Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke Cathode mark: bevelled edge Semiconductor Group 7 1998-11-12 GPL06928 Cathode marking 1.5 1.3 Cathode marking typ. 1.5 x 1.0 2.3 2.1 2.1 1.9 0.5 0.3