LYE676-T2

Power TOPLED® Hyper-Bright LED Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale • • • • • • • • Gehäusebauform: P-LCC-4 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestücktechniken geeignet gegurtet (8 mm-Filmgurt) JEDEC Level 3 nur IR Reflow Löten LY E676 Features • • • • • • • • P-LCC-4 package color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly methods available taped on reel (8 mm tape) JEDEC Level 3 IR reflow soldering only Typ Emissionsfarbe Color of Emission Type Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area colorless clear Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 50 mA I V (mcd) 250 320 400 500 ... ... ... ... 400 500 630 800 Luminous Flux IF = 50 mA ΦV (mlm) 900 (typ.) 1200 (typ.) 1500 (typ.) 1800 (typ.) Ordering Code LY E676 LY E676-T1 LY E676-T2 LY E676-U1 LY E676-U2 yellow Q62703-Q3759 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 1.6. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 1.6. Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert. Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms. Semiconductor Group 1 1998-11-05 VPL06837 LY E676 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Sperrspanung1) Reverse voltage1) Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 12 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 12 mm2) 1) 1) Symbol Symbol Werte Values – 40 ... + 100 – 40 ... + 100 + 120 50 3 130 Einheit Unit °C °C °C mA V mW Top Tstg Tj IF VR Ptot Rth JA 290 K/W Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 2 1998-11-05 LY E676 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 50 mA Dominantwellenlänge 2) Dominant wavelength 2) IF = 50 mA Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 50 mA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Durchlaßspannung 1) Forward voltage 1) IF = 50 mA Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 50 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 50 mA) Temperaturkoeffizient von λpeak (IF = 50 mA) Temperature coefficient of λpeak (IF = 50 mA) Temperaturkoeffizient von VF (IF = 50 mA) Temperature coefficient of VF (IF = 50 mA) Temperaturkoeffizient von IV (IF = 50 mA) Temperature coefficient of IV (IF = 50 mA) Symbol Symbol typ. Werte Values max. – nm 594 Einheit Unit λpeak λdom 590 – nm ∆λ 17 – nm 2ϕ 120 2.1 – 2.55 Grad deg. V VF IR 0.01 10 µA TCλ TCλ TCV TCI t.b.d. t.b.d. t.b.d. t.b.d. – – – – nm/K nm/K mV/K %/K V 1) Durchlaßspannungsgruppen Forward voltage groups Durchlaßspannung Forward voltage min. max. 2.25 2.55 V V 1.85 2.15 Einheit Unit 2) Wellenlängengruppen Wavelength groups Wellenlänge Wavelength min. max. 590 593 596 nm nm nm 585 588 591 Einheit Unit Gruppe Group Gruppe Group 1 2 3 1 2 Semiconductor Group 3 1998-11-05 LY E676 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 50 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 100 Ι rel % 80 OHL00443 Vλ 60 yellow 40 20 0 400 450 500 550 600 650 nm λ 700 Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHL01660 ϕ 1.0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 0 Semiconductor Group 4 1998-11-05 LY E676 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C 10 2 OHL00444 Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C ΙV 10 1 OHL00445 Ι F mA 10 1 5 Ι V (50 mA) 10 0 5 10 0 5 10 -1 5 10 -1 5 10 -2 5 10 -2 1.6 1.8 2.0 2.2 V VF 2.4 10 -3 -1 10 5 10 0 5 10 1 ΙF mA 10 2 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) 100 OHL00446 Ι F mA 80 60 40 20 0 0 20 40 60 80 C 100 TA Semiconductor Group 5 1998-11-05 LY E676 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 3.0 2.6 2.3 2.1 0.8 0.6 A C 0.1 typ 2.1 1.7 0.9 0.7 (2.4) 3.4 3.0 C C 1.1 0.5 3.7 3.3 package marking A: Anode C: Cathode 0.18 0.12 0.6 0.4 Empfehlung Lötpaddesign Recommended Pad Infrarot/Vapor-Phase Reflow-Lötung Infrared Vapor-Phase Reflow-Soldering 3.3 0.4 2.6 1.1 3.3 0.5 4.2 Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Lötstoplack solder resist Cu Fläche / Cu-area = 12 mm 2 per pad 1.85 7.5 Semiconductor Group 6 1998-11-05 OHLP0439 GPL06991 LY E676 Gurtung Taping C C C A Semiconductor Group 7 1998-11-05 OHA00440