Q62702-P0330

GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7 SFH 420 SFH 425 fpl06724 SFH 420 TOPLED® 3.4 3.0 2.4 0.8 0.6 Cathode/Collector marking Approx. weight 0.03 g 1.1 0.5 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector GPL06724 (2.4) 2.8 2.4 4.2 3.8 0.7 3.7 3.3 Cathode/ Collector 2.54 spacing 1.1 0.9 Anode/ Emitter (2.85) GPL06880 Collector/Cathode marking (2.9) (R1) 3.8 3.4 SFH 425 SIDELED® fpl06867 4.2 3.8 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad q Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen q Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Oberflächenmontage geeignet q Gegurtet lieferbar q SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320/421 SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325/426 q SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. Features q Very highly efficient GaAs-LED q Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents q DC (with modulation) or pulsed operations are possible q High reliability q High pulse handling capability q Suitable for surface mounting (SMT) q Available on tape and reel q SFH 420 same package as SFH 320/421 SFH 425 same package as SFH 325/426 q SFH 425: Suitable only for IR-reflow soldering. In case of dip soldering, please contact us first. Semiconductor Group 1 1997-11-01 SFH 420 SFH 425 Anwendungen q Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Applications q Miniature photointerrupters q Industrial electronics q For drive and control circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED SIDELED SFH 420 SFH 425 Q62702-P1690 Q62702-P0330 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, τ = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 3 160 450 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei RthJS Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block 200 K/W Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 420 SFH 425 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm ∆λ 55 nm ϕ ± 60 0.09 0.3 × 0.3 0.5 Grad deg. mm2 mm µs A L×B L×W tr, tf Co 25 pF VF VF IR 1.3 (≤ 1.5) 2.3 (≤ 2.8) 0.01 (≤ 1) V V µA Φe 14 mW TCI – 0.5 %/K IF = 100 mA TCV TCλ –2 + 0.3 mV/K nm/K Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 420 SFH 425 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping at radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 % OHR01938 Symbol Ie Werte Values > 2.5 Einheit Unit mW/sr Ie typ. 38 mW/sr Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR01551 Single pulse, tp = 20 µs Ιe Ι e 100 mA 10 2 A Max. permissible forward current IF = f (TA) 120 OHR00883 Ι F mA 100 Ι rel 80 10 1 80 60 10 0 40 R thjA = 450 K/W 60 40 10 -1 20 20 0 880 920 960 1000 nm λ 1060 10 -2 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 A OHR01554 Radiation characteristics Srel = f (ϕ) 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHL01660 ϕ 1.0 ΙF 10 0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 10 -1 70˚ 0.4 0.2 10 -2 80˚ 90˚ 100˚ 0 10 -3 1 2 3 4 V 5 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ VF Semiconductor Group 4 1997-11-01 SFH 420 SFH 425 Löthinweise Soldering conditions Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Lötbadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Max. perm. soldering time 10 s – Abstand Lötstelle – Gehäuse Distance between solder joint and case – – Reflowlötung Reflow soldering Lötzonentemperatur Maximale Durchlaufzeit Temperature of the soldering bath TOPLED SIDELED 260 °C – Temperature of soldering zone 245 °C : ≥ 225 °C Max. transit time 10 s 10 s Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff. For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on page 169ff. Permissible pulse handling capability IF = f (tp) duty cycle D = parameter, TA = 20 °C 10 4 OHR00860 Ι F mA 5 D = 0.005 0.01 tp D= tp T T ΙF 0.02 10 3 0.1 0.2 0.05 5 0.5 DC 10 2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Semiconductor Group 5 1997-11-01