Q62702-P1798

GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm) GaAs Infrared Emitters (950 nm) SFH 4510 SFH 4515 2.7 2.3 2.05 R 1.95 2.7 2.4 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 (3.2) (R 2.8) (3.2) 6.0 5.4 GEO06968 14.7 13.1 2.54 mm spacing -0.1...0.1 3.7 3.3 Cathode/ Collector 4.5 3.9 7.7 7.1 Chip position 8.0 7.4 15.5 14.7 4.5 3.9 2.05 R 1.95 (3.2) (R 2.8) (3.2) 6.0 5.4 GEO06969 4.8 4.4 SFH 4510 4.8 4.4 2.54 mm spacing SFH 4515 4.5 3.9 7.7 7.1 Cathode/ Collector Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group -0.15...0.15 2.7 2.4 1 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Für Oberflächenmontage geeignet Gegurtet lieferbar Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/ SFH 2505 und Fototransistor SFH 3500/ SFH 3505 q Hohe Zuverlässigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q q q q Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q Suitable for surface mounting (SMT) q Available on tape and reel q Same package as photodiode SFH 2500/ SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/ SFH 3505 q High reliability q Spectral match with silicon photodetectors Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control for steady and varying intensity Typ Type SFH 4510 SFH 4515 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1798 Q62702-P1821 Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), schwarzes EpoxyGießharz, Anschlüsse (SFH 4510 gebogen, SFH 4515 gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung. 5 mm LED package (T 1 3/4), black-colored epoxy resin, solder tabs (SFH 4510 bent, SFH 4515 straight) lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see package outline. Semiconductor Group 2 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 85 85 5 100 3 150 300 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W Top; Tstg Tj VR IF (DC) IFSM Ptot Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 20 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 20 mm2 each Semiconductor Group 3 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm ∆λ 55 nm ϕ ± 14 0.09 0.3 × 0.3 0.5 Grad deg. mm2 mm µs A L×B L×W tr, tf Co 25 pF VF VF IR 1.30 (≤ 1.5) 2.30 (≤ 2.8) 0.01 (≤ 1) V V µA Φe 22 mW Semiconductor Group 4 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value – 0.5 Einheit Unit %/K TCI TCV TCλ –2 0.3 mV/K nm/K Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.001 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Symbol Symbol Ie typ Ie min Ie typ Wert Value 50 ≥ 25 450 Einheit Unit mW/sr mW/sr mW/sr Semiconductor Group 5 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 % OHRD1938 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 µs Radiant intensity 10 2 A OHR01551 Max. permissible forward current IF = f (TA) 120 mA 100 OHF00387 Ι rel 80 Ιe Ι e 100 mA ΙF 10 60 1 80 10 0 40 60 40 10 -1 20 20 0 880 920 960 1000 λ nm 1060 10 -2 10 -3 0 10 -2 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 OHR01554 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00860 ΙF A Ι F mA 5 D = 0.005 0.01 tp D= tp T T ΙF 10 0 0.02 10 -1 10 3 0.1 0.2 0.05 5 10 -2 0.5 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 1.0 50 0.8 60 OHF00265 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 6 1998-11-12