Q62702-P296

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 9.0 8.2 spacing 2.54mm 0.4 0.8 1.8 1.2 7.8 7.5 5.9 5.5 0.4 0.6 Area not flat Chip position Approx. weight 0.2 g GEO06645 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 Approx. weight 0.4 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt q q q q q Features q GaAs infrared emitting diodes, fabricated in q q q q q im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 a liquid phase epitaxy process Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents High efficiency High reliability High pulse handling capability SFH 415: Same package as SFH 300, SFH 203 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control of various equipment Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06630 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) 4.0 3.4 Chip position 0.6 0.4 GEX06630 fexf6626 4.8 4.2 ø4.8 ø5.1 0.6 0.4 SFH 415 SFH 416 Typ Type SFH 415 SFH 415-T SFH 415-U SFH 416-R Bestellnummer Ordering Code Q62702-P296 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), schwarz eingefärbt, Anschluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: short lead Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 415 SFH 416 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A Abstrahlwinkel Half angle SFH 415 SFH 416 Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 415 SFH 416 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm ∆λ 55 nm ϕ ϕ ± 17 ± 28 0.09 0.3 × 0.3 Grad deg. mm2 mm A L×B L×W H H tr, tf 4.2 ... 4.8 3.4 ... 4.0 0.5 mm mm µs Co 25 pF VF VF IR 1.3 (≤ 1.5) 2.3 (≤ 2.8) 0.01 (≤ 1) V V µA Φe 22 mW Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 415 SFH 416 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value – 0.5 Einheit Unit %/K TCI TCV TCλ –2 + 0.3 mV/K nm/K Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol SFH 415 Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs SFH 415-T Werte Values SFH 415-U SFH 416-R Einheit Unit Ie min Ie max ≥ 25 – 25 50 > 40 – > 10 – mW/sr mW/sr Ie typ. – 380 600 150 mW/sr Semiconductor Group 4 1997-11-01 SFH 415 SFH 416 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 % OHRD1938 Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR01551 Single pulse, tp = 20 µs Ιe Ι e 100 mA 10 2 A Max. permissible forward current IF = f (TA) 120 OHR00883 Ι F mA 100 Ι rel 80 10 1 80 60 R thjA = 450 K/W 10 0 60 40 40 10 -1 20 20 0 880 920 960 1000 λ nm 1060 10 -2 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 A OHR01554 Radiation characteristics SFH 415 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 1.0 OHR01552 ΙF 10 0 50 0.8 60 0.6 10 -1 70 0.4 80 0.2 10 -2 90 10 -3 1 2 3 4 V 5 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 VF Radiation characteristics SFH 416 Irel = f (ϕ) 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ 1.0 OHR01553 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00860 ϕ 50˚ Ι F mA 5 D = 0.005 0.01 tp D= tp T T ΙF 0.8 60˚ 0.6 0.02 10 3 0.1 0.2 0.05 70˚ 0.4 80˚ 90˚ 0.2 0 5 0.5 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ DC 10 2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Semiconductor Group 5 1997-11-01