Q62702-P3018

SFH 2801 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2801 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Si-PIN Fotodiode q Niedrige Sperrschicht- und GehäuseKapazitäten q Kurze Schaltzeit q Niedriger Dunkelstrom q Kathode galvanisch getrennt vom Gehäuse Anwendungen q Optischer Sensor mit großer ModulationsBandbreite q Datenübertragung bis zu 565 Mbit/s Features q Si-PIN-photodiode q Low junction and low package capacitance q Fast switching times q Low dark current q Cathode electrically isolated from case Applications q Optical sensor of high modulation bandwidth q Data communication up to 565 Mbit/s Typ Type SFH 2801 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P3018 Stecker/Flansch Connector/Flange TO-18, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Gehäuse, Lötanschlüsse im 2.54 mm Raster (1/10") TO-18, plane glass window, hermetically sealed package solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10") Semiconductor Group 1 1998-10-06 fmx06406 SFH 2801 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Sperrspannung Reverse voltage Isolationsspannung zum Gehäuse Isolation voltage to case Betriebs- und Lagertemperaturbereich Operating and storage temperature range Löttemperatur (Wellen-/Tauchlötung) (Lötstelle 2 mm von Bodenplatte entfernt bei Lötzeit t ≤ 10 s) Soldering temperature (wave/dip soldering) in 2 mm distance from base plate (t ≤ 10 s) Symbol Symbol Wert Value 50 100 – 40 ... + 125 260 Einheit Unit V V °C °C VR VIS Top; Tstg TS Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity λ = 850 nm λ = 950 nm Anstiegs- und Abfallzeit Rise and fall time RL = 50 Ω, VR = 50 V, λ = 850 nm Sperrschicht-Kapazität bei f = 1 MHz Junction capacitance at f = 1 MHz VR = 0 V VR = 1 V VR = 12 V VR = 20 V Dunkelstrom Dark current VR = 20 V, E = 0 Symbol Symbol λS max 850 Wert Value Einheit Unit nm Sλ850 Sλ950 ti; tf 0.55 (≥ 0.45) 0.45 1 A/W A/W ns C0 C1 C12 C20 ID 13 7 3.3 3 1 (≤ 5) pF pF pF pF nA Semiconductor Group 2 1998-10-06 SFH 2801 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, λ = 850 nm Nachweisgrenze Detection limit VR = 20 V, λ = 850 nm Temperaturkoeffizient von IP Temperature coefficient of IP Isolationsstrom Isolation current VIS = 100 V Symbol Symbol Wert Value 3.3 × 10– 14 Einheit Unit W √Hz cm · √Hz W %/K nA NEP D* 3.1 × 1012 TC I18 0.2 0.1 (≤ 1) Semiconductor Group 3 1998-10-06 SFH 2801 Relative spectral sensitivity S = f (λ) OHF00460 Photocurrent IP = f (E) 10 2 µA OHF00462 S rel 100 % 90 80 ΙP 10 1 70 60 50 40 30 10 0 10 -1 20 10 0 400 600 800 nm 1000 L 10 -2 10 -3 10 -2 10 -1 mW/cm2 E 10 1 Dark current IR = f (VR) 10 2 nA 10 1 OHF00463 Dark current IR = f(TA) E = 0, VR = 20 V 10 3 nA 10 2 OHF00464 ΙR ΙR 10 1 10 0 10 0 10 -1 10 -1 10 -2 10 -2 10 -3 0 10 20 30 40 V 50 VR 10 -3 -50 -25 0 25 50 75 ˚C 100 TA Semiconductor Group 4 1998-10-06 SFH 2801 Dark current IR = f(VR) 10 5 nA 10 4 10 3 10 2 10 1 10 0 10 -1 10 -2 OHF00465 Junction capacity C = f(VR) E = 0, f = 1 MHz 12 pF 10 100 ˚C 75 ˚C 50 ˚C 25 ˚C OHF00466 ΙR 125 ˚C C 8 6 4 0 ˚C -10 ˚C 2 10 -3 0 10 20 V VR 30 0 -1 10 10 0 10 1 V 10 2 VR Semiconductor Group 5 1998-10-06