Q62702-Q1745

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 ø0.45 2.54 mm spacing Chip position ø4.3 ø4.1 1 0.9 .1 1.1 .9 0 2.7 1 14.5 12.5 3.6 3.0 ø5.5 ø5.2 GET06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR- Features Radiation without IR in the visible red range Cathode is electrically connected to the case Very high efficiency High reliability Short switching time Same package as BP 103, LD 242 DIN humidity category in acc. with DIN 40040 GQG q Component subjected to aperture measurement (E 7800) q q q q q q q Anteil q Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Kurze Schaltzeiten Gehäusegleich mit BP 103, LD 242 Anwendungsklassen nach DIN 40040 GQG Lochblendenvermessenes Bauteil (E 7800) Anwendungen q q q q q q q Lichtschranken für Gleich- und Applications q Photointerrupters q Fiber optic transmission Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz q LWL Typ Type SFH 464 E7800 Bestellnummer Ordering Code Q62702-Q1745 Gehäuse Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: projection at package bottom Semiconductor Group 1 1998-07-15 fet06625 SFH 464 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80 3 50 1 140 450 160 Einheit Unit °C V mA A mW K/W K/W Top; Tstg VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC Semiconductor Group 2 1998-07-15 SFH 464 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 50 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax I F = 50 m A Abstrahlwinkel1) Half angle1) Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz Capacitance Durchlaßspannung, IF = 50 mA, tp = 20 ms Forward voltage Sperrstrom, VR = 3 V Reverse current Symbol Symbol λpeak Wert Value 660 Einheit Unit nm ∆λ 25 nm ϕ ± 23 0.106 0.325 × 0.325 0.3 ... 0.7 Grad deg. mm2 mm mm A L×B L×W H tr, tf 100 ns Co VF IR 30 2.1 (≤ 2.8) 0.01 (≤ 10) 11 – 0.4 pF V µA mW %/K Gesamtstrahlungsfluß, IF = 50 mA, tp = 20 ms Φe Total radiant flux Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 50 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 50 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 50 mA Temperature coefficient of λ, IF = 50 mA 1) TCI TCV TCλ 1) –3 + 0.16 mV/K nm/K Fuβnote siehe nächste Seite Footnote see next page Semiconductor Group 3 1998-07-15 SFH 464 Strahlstärke Ie in Achsrichtung1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction1) at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke1) Radiant intensity1) IF = 50 mA, tp = 20 ms 1) Symbol Ie Werte Values ≥1 Einheit Unit mW/sr Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 0.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. 1) Semiconductor Group 4 1998-07-15 SFH 464 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 OHR01869 Radiant intensity Ie Ie 50 mA = f (IF) Single pulse, tp = 20 µs Ιe Ι e 50 mA 10 2 A OHR01870 Max. permissible forward current IF = f (TC), RthJC = 160 K/W 120 OHR01462 Ι rel % 80 Ι F mA 100 10 1 80 60 10 0 60 40 40 10 -1 20 20 10 -2 10 0 10 1 10 2 mA ΙF 10 3 0 600 650 700 nm λ 750 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 3 mA OHR01871 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter ΙF 10 4 mA OHR01872 Max. permissible forward current IF = f (TA), RthJA = 450 K/W 120 OHR01461 ΙF tP D= tP T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 ΙF T Ι F mA 100 10 2 10 3 0.1 0.2 80 60 10 1 10 2 0.5 DC 40 20 10 1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1) 10 0 0 2 4 6 8 V 10 s 10 1 0 0 20 40 60 VF tP 80 ˚C 100 TA Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 ϕ (Fuβnote siehe vorhergehende Seite/footnote see previous page) 0 1.0 OHR01457 10 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 5 1998-07-15