Q62703-Q1090

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 ø0.45 Chip position 1 0.9 .1 1.1 .9 0 ø5.5 ø5.2 2.7 1 2.54 mm spacing 14.5 12.5 3.6 3.0 ø4.3 ø4.1 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g GET06625 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad q Die Anode ist galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Hohe Impulsbelastbarkeit q Hohe Zuverlässigkeit q Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG q Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 Anwendungen q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Typ Type SFH 483 E7800 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1090 Features Highly efficient GaAlAs LED Anode is electrically connected to the case High pulse power High reliability DIN humidity category in acc. with DIN 40040 GQG q Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 q q q q q Applications q IR remote controls and sound transmission q Photointerrupter Gehäuse Package 18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’) 18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead spacing 2.54 mm (1/10’’) Semiconductor Group 1 1997-11-01 fet06625 SFH 483 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom, TC ≤ 25 °C Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0, TC = 25 °C Surge current Verlustleistung, TC = 25 °C Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80 100 5 200 2.5 470 450 160 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel1) Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Gehäuserückseite bis Chipoberfläche Distance chip front to case back Symbol Symbol λpeak Wert Value 880 Einheit Unit nm ∆λ 80 nm ϕ ± 23 0.16 0.4 × 0.4 2.7 ... 2.9 Grad deg. mm2 mm mm A L×B L×W H Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 483 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 0.6/0.5 Einheit Unit µs tr, tf Co 25 pF VF IR 1.5 (< 1.8) 3.0 (< 3.8) 0.01 (≤ 1) V µA Φe 23 mW TCI – 0.5 %/K IF = 100 mA TCV TCl – 2.5 + 0.25 mV/K nm/K Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 483 Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke1) Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke1) (typ.) Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 ms 1) Symbol Werte Values 1 3.2 20 Einheit Unit mW/sr mW/sr mW/sr Ie min Ie max Ie typ. 1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. Semiconductor Group 4 1997-11-01 SFH 483 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 Ι rel % 80 OHR00877 Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR00878 Single pulse, tp = 20 µs 10 2 Ιe Ι e (100mA) 10 1 Max. permissible forward current IF = f (TA), RthJA = 450 k/W IF = f (TC), RthJC = 160 k/W 240 OHR00946 Ι F mA 200 160 60 10 0 R thJC = 160 K/W 120 40 10 -1 80 20 10 -2 R thJA = 450 K/W 40 0 750 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T A,T C Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs 10 1 OHR00881 Permissible pulse handling capability IF = f (tp), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00948 ΙF A Ι F mA 5 tp D= tp T T ΙF 10 0 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 3 0.1 0.2 5 0.5 10 -1 10 -2 DC 10 -3 10 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 s 10 0 tp Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 1) Fuβnote siehe vorhergehende Seite/footnote see previous page. 40 30 20 ϕ 10 0 1.0 OHR01457 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 5 1997-11-01