Q62703-Q1094

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 Anode 1.8 1.2 29.5 27.5 5.7 5.1 Chip position 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g GEX06626 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q Spectral match with silicon photodetectors Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Typ Type SFH 486 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1094 tape recorders, dimmers q Remote control for steady and varying intensity Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06626 SFH 486 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Irel Spectral bandwidth at 50 % of Irel IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top Symbol Symbol λpeak Wert Value 880 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 2.5 200 375 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA ∆λ 80 nm ϕ ± 11 0.16 0.4 × 0.4 Grad deg. mm2 mm A L×B L×W H 5.1 ... 5.7 mm Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 486 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 0.6/0.5 Einheit Unit µs tr, tf Co 25 pF VF VF IR 1.50 (≤ 1.8) 3.00 (≤ 3.8) 0.01 (≤ 1) V V µA Φe 25 mW TCI – 0.5 %/K IF = 100 mA TCV TCλ –2 0.25 mV/K nm/K Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.001 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Symbol Wert Value 40 typ. 60 Einheit Unit mW/sr mW/sr Ie min Ie max Ie typ. 600 mW/sr Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 486 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 Ι rel % 80 OHR00877 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 µs Radiant intensity 10 2 Ιe Ι e (100mA) 10 1 OHR00878 Max. permissible forward current IF = f (TA) 125 OHR00880 Ι F mA 100 60 10 0 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 0 750 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 OHR00881 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 oC, duty cycle D = parameter 10 4 mA OHR00886 Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (l), TA = 25 oC 120 mA OHR00949 ΙF A ΙF 10 0 10 3 0.1 0.2 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 Ι F 100 80 10 -1 0.5 10 2 DC 60 40 10 -2 D= 10 -3 tp T tp ΙF 20 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8 T 10 1 -5 -4 -3 -2 10 10 10 10 10 -1 10 0 0 10 1 s 10 2 tp 0 5 10 15 20 25 mm 30 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 ϕ 10 0 1.0 OHR01733 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 4 1997-11-01