Q62703-Q1095

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 0.6 0.4 5.2 4.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 4.1 3.9 4.0 3.6 Approx. weight 0.3 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Good spectral match to silicon photodetectors q Same package as SFH 309, SFH 409 Applications q IR remote control for hifi and TV sets, video und Videogeräten, Lichtdimmern q Lichtschranken bis 500 kHz tape recorder, dimmers q Light-reflection switches (max. 500 kHz) Typ Type SFH 487 SFH 487-2 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1095 Q62703-Q2174 Gehäuse Package 3-mm-LED-Gehäuse (T1), klares violettes EpoxyGieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ 3 mm LED package (T1), violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06250 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) ø3.1 ø2.9 (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 SFH 487 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, τ ≤ 10 µs Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 2.5 200 375 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax, Symbol Symbol λpeak Wert Value 880 Einheit Unit nm ∆λ 80 nm IF = 100 mA Spectral bandwidth at 50 % of Imax Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top ϕ ± 20 0.16 0.4 × 0.4 2.6 Grad deg. mm2 mm mm A L×B L×W H Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 487 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 0.6/0.5 Einheit Unit µs tr, tf Co 25 pF VF IR 1.5 (< 1.8) 3.0 (< 3.8) 0.01 (≤ 1) V µA Φe 25 mW TCI – 0.5 %/K IF = 100 mA TCV TCλ –2 0.25 mV/K nm/K Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 487 Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Symbol Wert Value SFH 487 SFH 487-2 Einheit Unit Ie > 12.5 > 20 mW/sr Ie typ. 270 270 mW/sr Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 ϕ 10 0 1.0 OHR01895 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 4 1997-11-01 SFH 487 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 Ι rel % 80 OHR00877 Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR00878 Single pulse, tp = 20 µs 10 2 Ιe Ι e (100mA) 10 1 Max. permissible forward current IF = f (TA) 125 OHR00880 Ι F mA 100 60 10 0 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 0 750 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs 10 1 OHR00881 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 oC, duty cycle D = parameter 10 4 mA OHR00886 Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (I), TA = 25 oC 120 mA OHR00949 ΙF A ΙF 10 0 10 3 0.1 0.2 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 Ι F 100 80 10 -1 0.5 10 2 DC 60 40 10 -2 D= 10 -3 tp T tp ΙF 20 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8 T 10 1 -5 -4 -3 -2 10 10 10 10 10 -1 10 0 0 10 1 s 10 2 tp 0 5 10 15 20 25 mm 30 Semiconductor Group 5 1997-11-01